标签:阈值电压

驯服角落爆炸在复杂的芯片
通过布莱恩•贝利2月23日,2023 -评论:0

角落的数量之间有一个脆弱的平衡设计团队必须考虑,成本分析,利润他们插入处理这些问题,但权衡变得更加困难。如果过多的角落探索一个芯片,它可能永远不会看到生产。如果没有足够的角落了,它可以减少产量。如果添加太多的保证金,设备可能不是c…»阅读更多

建模波动来源对棉酚的电特性的影响如果使用ANN-Based毫升NS mosfet
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

研究者从国家杨明交通大学(台湾)发表了一篇技术论文题为“机器学习方法建模的内在参数波动Gate-All-Around Si Nanosheet mosfet。”"This study has comprehensively analyzed the potential of the ANN-based ML strategy in modeling the effect of fluctuation sources on electrical characteristics of GAA Si NS MOSF...»阅读更多

3 d NAND:场景扩展与叠加
通过技术论文链接- 8月25日,2022 -评论:0

累加起来的一个新的研究论文题为“的影响和造成一些细胞在3 d NAND阈值电压”是韩国成均馆大学和韩国大学的研究人员发表的。文摘”在过去的几十年中,NAND闪存有先进的成倍增加的增长。一些细胞在3 d NAND闪存堆积起来,一起按比例缩小,一些种种…»阅读更多

报告和基准测试过程的二维半导体场效应晶体管
通过技术论文链接——7月29日,2022 -评论:0

新的研究论文题为“如何报告和基准新兴场效应晶体管”从NIST的研究人员发表,普渡大学、加州大学洛杉矶分校,泰斯的研究,北京大学,纽约大学,Imec,亚琛工业等等。“新兴低维纳米材料研究了几十年来在设备应用场效应晶体管(fet)。然而,正确地报告和大连……»阅读更多

时间和电压相交在哪里
通过埃德·斯珀林2020年2月- 14(-评论:0

若昂Geada的解释,ANSYS首席技术专家讨论了限制电力输送网络和处理器可以处理什么,为什么当前解决这些问题导致失败,以及减少电压如何影响时间。»阅读更多

22纳米工艺
通过埃德·斯珀林——7月19日,2018 -评论:0

杰米•谢弗产品线管理高级主管GlobalFoundries,谈到如何FD-SOI相比之下大部分技术,未来将在那里使用和为什么,叠加选项。https://youtu.be/2i7GJRxcNRs»阅读更多

老化的影响
通过埃德·斯珀林- 7月17日,2018 -评论:0

技术讨论:弗劳恩霍夫EAS的质量和可靠性组经理,安德烈·兰格,谈到如何建模老化效果和为什么越来越困难的高级节点的问题。https://youtu.be/XHWww2PE7aY»阅读更多

技术说:7海里过程变化
通过埃德·斯珀林1月17日,2018 -评论:0

主任Ankur Gupta领域应用ANSYS,讨论过程变化,它会导致的问题10/7nm和超越。https://youtu.be/WHNjFr1Da6s»阅读更多

身体偏见:它是什么,为什么要关注它
通过弗林特Yoder)2017年10月- 12 -评论:1

如果你没有注意到,使用集成电路(ic)在过去的十年里爆炸了。从最便宜的新奇玩具汽车植入医疗器械,似乎我们能接触到的所有东西都有一个电子组件。毫不奇怪,这种增长带来了极大地扩大集成电路设计需求的数量和种类,设计公司必须年代…»阅读更多

7 nm设计成功从多域Multi-Physics开始分析
通过阿尔温德•韦尔11月- 28,2016 -评论:1

公司可以受益于最新的半导体工艺技术的进步提供更小、更快和更低的电力产品,尤其是对于那些服务移动,高性能计算和汽车ADAS的应用程序。通过使用7海里流程,设计团队能够添加更多的功能集成在一个芯片中,低功耗的缩放操作伏……»阅读更多

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