如何在先进电路退化模型节点。
技术讨论:弗劳恩霍夫EAS的质量和可靠性组经理,安德烈·兰格,谈到如何建模老化效果和为什么越来越困难的高级节点的问题。
评论*
的名字*(注意:这个名字会显示公开)
电子邮件*(这将不公开显示)
Δ
传感器技术仍在不断发展,和功能正在被讨论。
问题包括设计、制造、包装、和可观察性都需要解决这种方法成为主流之前对于许多应用程序。
光子学、可持续发展和人工智能芯片吸引投资;157家公司筹集了超过24亿美元。
IP工业正在经历一些转换,将很难使新公司进入市场,并为那些仍然更加昂贵。
中国禁止微米芯片;北美半导体会议形成;应用材料计划40亿美元研发车间;苹果和Broadcom 5 g协议;DRAM收入下降;新的低合金互联10纳米以下。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
Gate-all-around将取代finFET,但它会产生一系列的挑战和未知。
学术界、业界伙伴关系斜坡来诱使大学生硬件工程。
一个处理器的验证是更复杂的比同等规模的ASIC,和RISC-V处理器把这一层复杂性。
高速度和低热量使这个技术至关重要,但它是极其复杂和人才是很难找到和火车。
地图在interposer-based热量流动设计工作正在进行,但要做得多。
先进的设备、材料和包装技术所有导致权力问题。但是你需要关注每个晶体管和线吗?
留下一个回复