标签:温度

系统设计的利害关系是什么?
通过节奏- 2023年3月8日-意见:0

你将从这本电子书中获得什么:功率和信号完整性对谐波平衡和串扰分析的洞察了解环路增益和传输速率检查功率感知系统的必要性电磁分析关于无线网络中电磁状态的知识对雷达和激光雷达EM轮廓的洞察弯曲，网格提示…»阅读更多

全固态电池:高温储存后assb会发生严重劣化
通过技术文件链接- 2022年8月4日-评论:0

首尔国立大学、台湾国家同步辐射研究中心和三星先进技术研究院电池材料实验室的研究人员刚刚发表了一篇题为“高温储存对硫化物基全固态电池的有害影响”的新技术论文。根据这篇AIP文章，“研究小组发现存储温度低至70摄氏度……»阅读更多

三种微电子器件的热管理挑战和要求
通过技术文件链接- 2022年6月20日-评论:0

印度理工学院孟买分校的研究人员发表了一篇题为“电子设备瞬态热管理综述”的新技术论文。“电子热管理领域的许多工作都集中在开发满足稳态运行的冷却解决方案上。然而，电子设备正越来越多地用于涉及时变变化的应用。»阅读更多

DRAM热问题达到危机点
通过凯伦·海曼- 2022年6月9日-评论:5

在DRAM领域，热问题正处于危机点。在14nm及以下，在最先进的封装方案中，可能需要一个全新的度量标准来解决热密度如何越来越多地将小问题变成大问题的乘数效应。几个过热的晶体管可能不会对可靠性产生很大影响，但几十亿个晶体管产生的热量却会影响....»阅读更多

RowHammer敏感性的深入研究:真实DRAM芯片的实验分析和对未来攻击和防御的影响
通过技术文件链接- 2021年11月14日-评论:0

RowHammer是一个电路级DRAM漏洞，重复访问(即锤击)DRAM行可能导致物理上相邻行的位翻转。RowHammer漏洞会随着DRAM单元大小和单元间间隔的缩小而恶化。最近的研究表明，现代DRAM芯片，包括以前销售为RowHammer-safe的芯片，甚至比…»阅读更多

在5/3nm
通过埃德·斯珀林- 2019年4月11日-评论:0

ANSYS首席技术专家Joao Geada谈到了为什么在最先进的节点上，时间、工艺、电压和温度不再是相互独立的，以及为什么随着设计从7nm缩小到5nm，最终缩小到3nm，这变得更加关键。此外，越来越多的芯片正在被定制，其中更多的芯片是更广泛的系统的一部分，可能涉及人工智能com…»阅读更多

云芯片的功耗问题日益严重
通过安Mutschler- 2018年10月11日-评论:0

传统或超大规模数据中心的性能水平正受到服务器内处理器、内存、磁盘和操作系统数量不断增加所导致的功耗和热量的限制。然而，这个问题是如此复杂和交织在一起，解决它需要一系列步骤，希望能够在整个系统中显著减少。但在7纳米及以下，预测准确…»阅读更多

大功率热演示器的温度降低
通过弗劳恩霍夫东亚峰会- 2018年10月10日-评论:0

在微电子器件和系统中的大功率应用是一个关键和严重的问题，它可能导致热和热机械现象升高，最终导致所制造的系统退化，限制其性能，甚至失效和破坏其特性。在特定的应用中，如那些在工业和汽车行业中发现的，电源pro…»阅读更多

老化的影响
通过埃德·斯珀林- 2018年7月17日-评论:0

技术讲座:夫琅和费EAS的质量和可靠性小组经理安德烈·兰格(Andre Lange)讲述了如何建模老化效应，以及为什么在高级节点上问题变得越来越困难。https://youtu.be/XHWww2PE7aY»阅读更多

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权所有©2013-2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu