中文 英语

标签:热载体注入

半导体老化的原因?
通过布来安梅奥- 2022年2月8日-评论:6

半导体技术已经发展到没有人能认为芯片会永远存在的地步。如果不仔细考虑，老化会缩短IC的寿命，低于预期应用的需要。技术圈对老化进行了很好的研究，但其他不太直接参与的人可能在一般层面上理解这是一个问题，但原因并不总是那么明显。那到底是什么…»阅读更多

可靠性问题转向芯片设计
通过安Mutschler- 2021年12月22日-评论

对低不良率和高成品率的需求正在增加，部分原因是芯片现在被用于安全和关键任务应用，部分原因是这是一种抵消不断上升的设计和制造成本的方式。所改变的是在初始设计中重新强调解决这些问题。在过去，缺陷和良率被认为是晶圆厂面临的问题。Re……»阅读更多

单片3D DRAM会出现吗?
通过布来安梅奥- 2021年9月9日-评论

随着DRAM扩展速度放缓，该行业将需要寻找其他方法来继续推动更多、更便宜的内存。逃避平面缩放限制的最常见方法是在建筑中添加第三个维度。有两种方法可以做到这一点。一个是打包的，这已经发生了。第二种是卖骰子到Z轴，这已经是一个…»阅读更多

使用自对准光晕补偿通道植入的替换栅高k/金属栅nmosfet
通过联华电子- 2021年6月16日-评论:0

基于数值模拟，提出了一种提高替代栅极(RMG)高k/金属栅极(HK/MG)器件长通道晕掺杂nmosfet输出电阻(Rout)特性的器件设计技术。我们表明，自对准halo-compensated channel implant (HCCI)是在dummy poly gate去除后进行的，为传统的halo掺杂提供了补偿. ...»阅读更多

老化分析通用模型接口势头强劲
通过格雷格·柯蒂斯- 2021年3月25日-意见:0

作者:Greg Curtis, Ahmed Ramadan, Ninad Pimparkar和Jung-Suk Goo 2019年2月，西门子EDA写了一篇题为“现在是通用模型接口的时候了”的文章1。从那时起，我们不断看到对老化分析的需求不断增长，不仅在传统的汽车领域，而且在其他技术设计领域，如移动通信和物联网应用……»阅读更多

可靠性设计
通过布莱恩•贝利- 2021年2月15日-评论

在许多终端市场中，电路老化正在成为一个必须考虑的设计问题，特别是在高级节点芯片预计寿命超过几年的市场中。一些芯片制造商认为这是一个竞争机会，但其他人不确定我们是否完全了解这些设备将如何老化。老化是一长串被推到设计左侧的问题中最新的一个……»阅读更多

处理高级节点设备老化问题
通过安Mutschler- 2020年9月10日-评论:0

在高级节点，电路的过早老化正变得越来越麻烦，因为新的市场需求、来自热的更大压力以及由于密度增加和介质更薄而导致的更严格的公差越来越复杂。在过去，衰老和压力在很大程度上是分开的挑战。由于种种原因，这些界限开始变得模糊。其中包括:汽车、高级节点……»阅读更多

提高GaN和SiC的可靠性
通过马克LaPedus- 2020年6月18日-评论

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的供应商正在推出下一波具有一些令人印象深刻的新规格的产品。但在这些设备被纳入系统之前，它们必须被证明是可靠的。和以前的产品一样，供应商很快就指出，新设备是可靠的，尽管偶尔会出现一些问题……»阅读更多

什么阻碍了老化模拟?
通过安德烈·兰格- 2020年4月9日-评论:0

老化模拟提供了IC进入生产前的长期行为信息，为应用和规范所需的可靠性提供了重要的早期评估。通过这种方式，避免了由于可靠性问题而重新设计，以及具有过高安全裕度的过度设计。此外，还可以向客户证明其长期稳定性. ...»阅读更多

不同EDA环境下一致的电路级老化仿真
通过弗劳恩霍夫东亚峰会- 2019年4月10日-评论:0

电路级别的老化模拟允许集成电路(IC)设计人员通过考虑场效应晶体管(fet)的退化来验证其电路的寿命可靠性要求。要通过合理的努力获得显著的分析结果，必须满足两个先决条件。首先，必须建立合理的场效应晶体管退化效应模型。秒……»阅读更多

←老帖子

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权所有©2013-2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu