阿尔温德•韦尔

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阿尔温德•韦尔是ANSYS应用工程总监。

作者的最新文章

7 nm设计成功从多域Multi-Physics开始分析
通过阿尔温德•韦尔11月- 28,2016 -评论:1

公司可以受益于最新的半导体工艺技术的进步提供更小、更快和更低的电力产品,尤其是对于那些服务移动,高性能计算和汽车ADAS的应用程序。通过使用7海里流程,设计团队能够添加更多的功能集成在一个芯片中,低功耗的缩放操作伏……»阅读更多

FinFET可靠性问题
通过阿尔温德•韦尔3月- 13,2014 -评论:0

16 nm FinFET节点引入了几个新的挑战在集成电路设计社区。除了功率噪声的复杂性和电迁移(EM)验证、热可靠性已成为一个主要关注对芯片和包装设计师。FinFET的三维建筑设备,新的仿真方法被用于模型的热行为死在阿…»阅读更多

16 nm FinFET互联设计有多可靠?
通过阿尔温德•韦尔- 05年12月,2013 -评论:0

16 nm FinFET流程节点正迅速成为首选选择先进的集成电路(IC)设计。16 nm节点的低待机泄漏特性和增加驱动力量能力使IC设计师将设计低功耗,高性能的界限。然而,节点的选择也是伴随着可靠性降低利润率,要求设计……»阅读更多

可靠性挑战16 nm FinFET的设计
通过阿尔温德•韦尔10月- 10,2013 -评论:1

随着集成电路产业迅速采用16纳米技术节点,IC设计师可靠性正面临着新一轮的挑战。16 nm节点引入了几种方式的变化以及金属层叠制成的设备。一方面设计师加速,泄漏和密度的改进。另一方面,可靠性工程师需要解决缩小electromigra……»阅读更多

设计可靠性
通过阿尔温德•韦尔10月- 11,2012 -评论:0

由Arvind Shanmugavel更快的处理器,降低电力的目标和减少技术增加了集成电路(IC)可靠性分析的复杂性。与20 nm节点成为主流,集成电路设计团队快速改良他们的分析方法来模拟和捕获各种可靠性失效机制。电迁移(EM)分析、热分析和电…»阅读更多

新的可靠性问题
通过阿尔温德•韦尔- 14,2012 -评论:0

由Arvind Shanmugavel ICs的可靠性越来越关心的一个话题每个技术节点迁移。的发病20 nm制程节点不同的铸造厂,可靠性验证舞台的中心在设计工具和有充分的理由。可靠性利润率持续下降,已到达一个拐点20 nm节点。设计和EDA社区哈…»阅读更多

智能集成电路的可靠性验证
通过阿尔温德•韦尔- 05年4月,2012 -评论:0

由Arvind Shanmugavel背后的电子大脑当今先进的系统是智能集成电路,为消费电子、能源、生物医药、汽车和航空工业。功率效率和系统集成是这些智能系统的成功的关键。IC产业迅速采取了先进的低功耗技术和芯片集成计划f……»阅读更多

噪声耦合分析
通过阿尔温德•韦尔- 06年10月,2011 -评论:0

通过Arvind Shanmugaval集成数字和混合信号soc IP块构成相当大的挑战权力的验证/地面和衬底噪声。电源噪声分析的传统方法已经无法满足当今的需要高度集成设计与多个低收入电力设计技术。现有的方法也不提供足够的能力或capabi……»阅读更多

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