美国佐治亚理工学院、天津大学、中国国家科学研究中心、同步加速器SOLEIL、国家强磁场实验室等的研究人员发表了一篇题为“零能量边缘态纳米电子学的外延石墨烯平台”的技术论文。
“石墨烯的力量在于其扁平的二维结构，由已知最强的化学键连接在一起，”乔治亚理工学院物理学院的董事教授沃尔特·德·希尔(Walter de Heer)说佐治亚理工学院新闻．“从一开始就很明显，石墨烯的小型化程度要比硅大得多，可以实现更小的设备，同时以更高的速度运行，产生的热量也小得多。这意味着，在原则上，石墨烯芯片可以比硅芯片封装更多的器件。”
找到这里是技术文件．2022年12月出版。
普拉德科夫斯基，胡勇，张凯等。零能量边缘态纳米电子学的外延石墨烯平台。Nat Commun 13, 7814(2022)。https://doi.org/10.1038/s41467 - 022 - 34369 - 4。开放获取．
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