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石墨烯电子(佐治亚理工学院)


美国佐治亚理工学院、天津大学、中国国家科学研究中心、同步加速器SOLEIL、国家强磁场实验室等的研究人员发表了一篇题为“零能量边缘态纳米电子学的外延石墨烯平台”的技术论文。“石墨烯的力量在于其扁平的二维结构,由已知最强的化学键连接在一起,”Walter de Heer说。»阅读更多

高压测试遥遥领先


电压需求不断增加,尤其是电动汽车市场。甚至可能被认为电压相对较低的设备,如显示驱动器,现在也超过了既定的基准。虽然在高压环境下工作并不是什么新鲜事——许多工程师都能回忆起他们工作场所的黄色警告带——但数量众多、种类繁多的新要求已经使测试变得非常困难。»阅读更多

周回顾:半导体制造,测试


美国新出口管制的影响仍在继续。根据新规定,希望向中国芯片制造商提供先进制造设备(小于14纳米)的公司必须首先获得美国商务部的许可。此外,美国人(公民和永久居民)禁止在没有许可证的情况下支持中国先进芯片的开发或生产. ...»阅读更多

SiC斜坡有多快?


全球的设备制造商都在大力发展碳化硅(SiC)制造,从2024年开始,这种增长将真正起飞。近五年前,特斯拉和意法半导体(STMicroelectronics)就在Model 3上推出了碳化硅。现在,没有人怀疑电动汽车的市场吸引力,但消费者仍然要求更好的续航里程和更快的充电速度。碳化硅器件是…»阅读更多

ORNL:在极端温度和辐射下使用宽带隙半导体材料的优势


ORNL(橡树岭国家实验室)题为“极端温度和辐射环境下的宽带隙半导体”的研究论文。“随着其更大的电压击穿,更高的电流限制和更快的开关速度,宽带隙半导体在市场上的应用越来越多,而不是传统上占主导地位的硅器件。碳化硅半导体有…»阅读更多

研究报告:6月8日


芝加哥大学、国家量子科学与技术研究所和Linköping大学的研究人员用碳化硅构建了一个量子比特,并能够将其相干性(即量子态持续的时间长度)保持超过5秒。“在这些人类身上保存量子信息是不寻常的……»阅读更多

电力电子用硅、碳化硅和氮化镓概述


新的开放获取研究论文“基于Si、SiC和Ga-N的功率器件和半导体材料的回顾和评估”,主要来自印度的各个机构。摘要:无论是在实际实验中,还是在研究领域中,半导体设备对世界的扭曲都是毫无保留的。研究人员将介绍半导体的生产过程。»阅读更多

300毫米晶圆短缺有望改善,但不是200毫米


裸晶圆的供应链是不平衡的。需求明显高于晶圆供应商的承受能力,造成的短缺可能会持续数年。对于300毫米晶圆,前五大厂商——日本的SEH和Sumco、德国的Siltronic、台湾的GlobalWafers和韩国的SK Siltron——终于在去年采取了行动,在新的晶圆表面上投入了数十亿美元。»阅读更多

向更坚固、更便宜的SiC迈进


碳化硅在功率半导体市场,特别是在电动汽车上,正在获得越来越多的吸引力,但对于许多应用来说,它仍然太贵了。原因很好理解,但直到最近,SiC在很大程度上还是一种利基技术,不值得投资。现在,随着对可以在高压应用中工作的芯片的需求增长,SiC得到了更近距离的关注. ...»阅读更多

化合物半导体创新推动电动汽车和其他绿色技术


随着全球致力于减少温室气体排放,全球电动汽车(EV)的采用推动了对大功率、节能化合物半导体(如碳化硅(SiC)基组件)的需求在整个电动汽车组装过程中不断增长。可再生能源技术现在处于气候前沿研究的前沿,电动汽车销售的加速发挥着…»阅读更多

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