从ORNL(橡树岭国家实验室)的研究论文题为“宽禁带半导体,极端温度和辐射环境。”
文摘
“更大的电压故障、更高的电流限制,和更快的开关速度,宽禁带半导体正在增加在市场应用传统上占主导地位的硅设备。碳化硅半导体已提高效率和减少现代电力电子的足迹,和氮化镓半导体电子迁移率的增加有增加射频电路的开关频率。在极端温度(> 225◦C)应用程序和高辐射环境如低地球轨道,深太空,和地面核反应堆,siliconbased半导体迅速降低。宽禁带半导体将扰乱市场的传感、仪器仪表、通信电路在这些危险的环境中通过增加寿命,安全性和可靠性。这份报告概述了使用宽禁带半导体材料的优点在极端温度和辐射环境。”
找到开放存取技术论文在这里或在这里(PDF)。2022年3月出版。
Ericson里德,凯尔,Goetz,卡莉,娘娘腔,Sweeney丹,这时警报声响起,N戴安。宽禁带半导体的极端温度和辐射环境。美国:n p。,2022年。网络。doi: 10.2172 / 1856704。
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