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标签:氧化镓

铁电体的物理
通过凯瑟琳德比郡——1月19日,2023 -评论:0

铁电材料的物理特性是一个很大的主题——太大,全面覆盖在一篇文章中。在我研究我最近的文章负电容时,我发现了一个可能的论文数量感兴趣的读者寻求更多的深度。日本的研究人员使用铁电BiFeO3控制CaMnO3的行为,莫特绝缘体。改变极化的……»阅读更多

设计和保护芯片外太空
通过玛丽·c·巴卡12月19日,2022 -评论:2

设计考虑硬件用于空间远远超过辐射硬化。这些设备必须执行完美多年,在极端的温度变化,并可能在太空垃圾留下的瘀伤或其他粒子漂浮在虚空的预期寿命。可靠性在空间中添加了一组不同的设计考虑。例如,尽管不太可能anyo……»阅读更多

ORNL:使用宽禁带半导体材料的优点为极端温度和辐射
通过技术论文链接- 13,2022 -评论:0

从ORNL(橡树岭国家实验室)的研究论文题为“宽禁带半导体,极端温度和辐射环境。”Abstract "With their greater voltage breakdowns, higher current limitations, and faster switching speeds, wide bandgap semiconductors are increasing in market application over the traditionally dominant silicon devices. Silicon carbide semiconductors hav...»阅读更多

氧化镓电力电子的路线图
通过技术论文链接——4月18日,2022 -评论:0

使用氧化镓的新研究论文解决的挑战。抽象的“氧化镓在过去的十年里经历了快速的技术成熟,使其超宽禁带半导体的前沿技术。最大化潜在的新的半导体系统需要一个社区的共同努力应对技术性贸易壁垒的限制性能。嘟……»阅读更多

制造:1月3日
通过马克LaPedus- 03年1月,2022 -评论:1

氧化镓芯片寻求商业化市场前景的超宽禁带技术,新型晶体技术(NCT)开发了一种基于肖特基势垒二极管称为氧化镓的材料。NCT设计了一个ampere-class 1200 - v根据氧化镓二极管。二极管是一种装置,通过电力在一个方向上和块在相反的方向。还在"……»阅读更多

准备下一代半决赛
通过马克LaPedus9月- 16,2021 -评论:0

经过多年研发,几个供应商正在接近航运能力基于下一代宽禁带的半导体和其他产品的技术。这些设备利用新材料的特性,如氮化铝,钻石,和氧化镓,他们也使用不同的结构,如垂直出电力设备。不过,虽然许多的……»阅读更多

制造:1月5日
通过马克LaPedus- 05年1月,2021 -评论:0

氧化镓芯片的国家可再生能源实验室(NREL),科罗拉多矿业学院,圣戈班晶体联手开发制造技术和设备基于一个名为氧化镓的新兴材料。这项工作是一项为期三年的计划的一部分,被称为氧化为极端的操作环境项目电子设备,这是由美国…»阅读更多

制造业:2月25日
通过马克LaPedus- 2月25日,2020 -评论:0

钻石finFETs HRL实验室取得了新的重大进展发展钻石finFETs。HRL,波音公司和通用汽车(General Motors)之间的联合研发风险,开发了一个新的电阻金刚石场效应晶体管的再生技术。这反过来对商业钻石场效应晶体管铺平了道路。应用包括宇宙飞船、卫星与极端温度和系统。还在研发,diamo……»阅读更多

制造业:12月23日
通过马克LaPedus- 12月23日,2019 -评论:0

氧化镓晶体管在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM)、康奈尔大学和日本法政大学发表了一篇论文在氧化镓纵向记录击穿电压的晶体管。水晶β氧化镓是一种很有前途的宽禁带半导体材料,用于功率半导体元件的应用。氧化镓有大量能带…»阅读更多

制造业:9月3日
通过马克LaPedus- 03年9月,2019 -评论:1

建模SiC缺陷核物理研究所的波兰科学院联盟”(IFJ PAN)开发了一个模型,揭示了碳化硅晶体缺陷的性质(原文如此)。Defectivity SiC的问题,基于硅和碳的化合物半导体材料。今天,碳化硅用于制造专业功率半导体高压应用,如电…»阅读更多

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