使用氧化镓的新研究论文解决的挑战。
文摘
“氧化镓经历了快速的技术成熟在过去的十年里,推到超宽禁带半导体技术的前沿。最大化潜在的新的半导体系统需要一个社区的共同努力应对技术性贸易壁垒的限制性能。由于良好的内在氧化镓的材料特性,即临界电场强度,广泛可调导,移动,和melt-based大量增长,主要目标应用程序空间是电力电子,以低成本高性能的预计。这个路线图提供了当前最先进的和未来的挑战在15个不同的主题被大量的人活跃在氧化镓的研究社区。解决这些挑战将加强先进的设备性能和允许我们设计高效、大功率、商业上可伸缩使用最新的半导体微电子系统平台。”
找到开放获取这里的技术论文。2022年2月出版。
詹姆斯·安德鲁•j .绿色斑点、优雅,彼得·摩恩弗雷德里克•Allerstam案发Gumaelius,托马斯·图中,安德里亚·Arias-Purdue Vivek Mehrotra Akito Kuramata,佐佐木浩平表示,渡边Shinya Kimiyoshi,约翰•布莱文思Oliver Bierwagen斯Krishnamoorthy,凯文•Leedy亚伦r . Arehart亚当·t·尼尔Shin谅解备忘录,Steven a . Ringel Avinash Kumar Ankit沙玛,Krishnendu Ghosh, Uttam Singisetti,李Wenshen内龙骨Chabak,凯尔李迪,Ahmad伊斯兰教,哈斯拉詹,塞缪尔·格雷厄姆,崔Sukwon哲Cheng和东京电力公司主席Higashiwakiβ-Gallium氧化物电力电子,APL材料029201 (2022)https://doi.org/10.1063/5.0060327。
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