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标签:电力电子

一颗恒星的诞生:氮化镓和即将到来的化合物半导体时代
通过魏赵- 2023年2月7日-意见:0

就在不久前，蓝光还被誉为数字视频领域的一项技术进步。但在流媒体时代，蓝光的光芒已经褪去。然而，使蓝光播放器得名的蓝色激光二极管技术——氮化镓(GaN)——正在成为半导体行业众多令人兴奋的新发展之一。今天，GaN被用于…»阅读更多

高功率应用GaAs PIN二极管的反向击穿行为研究
通过弗劳恩霍夫东亚峰会- 2023年1月11日-意见:0

在电力电子领域，化合物半导体氮化镓和碳化硅主导着市场。由于其有益的性质，砷化镓越来越受到人们的重视。其目标是制造基于砷化镓的器件，用于电力电子设备，具有相当或更好的性能，但成本更低。在这项工作中，第一个GaAs PIN二极管…»阅读更多

MOVPE生长(100)β -氧化镓层用于电力电子应用
通过技术文件链接- 2022年12月20日-意见:0

德国莱布尼茨研究所für Kristallzüchtung (IKZ)的研究人员发表了一篇题为“movpe生长的(100)β-Ga2O3薄膜及其用于电力电子应用的铝合金展望”的技术论文。“β-镓氧化物(β-Ga2O3)是一种极具前景的超宽带隙半导体，具有吸引人的物理性能，可用于下一代大功率器件、射频电子设备和电子设备。»阅读更多

电力电子用硅、碳化硅和氮化镓概述
通过技术文件链接- 2022年5月20日-意见:0

新的开放获取研究论文“基于Si、SiC和Ga-N的功率器件和半导体材料的回顾和评估”，主要来自印度的各个机构。摘要:无论是在实际实验中，还是在研究领域中，半导体设备对世界的扭曲都是毫无保留的。研究人员将介绍半导体的生产过程。»阅读更多

镓氧化物电力电子路线图
通过技术文件链接- 2022年4月18日-意见:0

新的研究论文解决了使用氧化镓的挑战。摘要:氧化镓在过去十年中经历了快速的技术成熟，将其推向了超宽带隙半导体技术的前沿。最大限度地发挥新半导体系统的潜力需要业界共同努力，解决限制性能的技术障碍。嘟……»阅读更多

电力、电动汽车市场需要GaN集成电路
通过凯瑟琳德比郡- 2022年3月17日-意见:0

使用分立GaN元件构建的电路可能可以完成这项工作，但完全集成的GaN电路仍然是最终目标，因为它们将提供许多与集成硅电路相同的优势。这些优点包括随着电路占地面积的扩大而降低成本，并通过较短的互连运行降低寄生电阻和电容。此外，提高了器件性能。»阅读更多

带OCP的低侧门驱动器的PCB布局提示
通过Weidong楚- 2022年3月10日-意见:0

我们的1ED44173/5/6是新型低侧门驱动ic，集成过流保护(OCP)， FAULT状态输出和使能功能。这种高集成度非常适合具有升压拓扑和接地参考开关的数字控制功率因数校正(PFC)应用。在PFC应用中，分流器用于检测电源开关电流或直流母线电流…»阅读更多

更高的爬电和间隙使系统更可靠
通过Jaeeul研- 2022年3月3日-意见:0

电气和电子应用的设计必须确保人身安全，以及高压条件下的系统可靠性。因此，所使用的功率半导体还必须满足由保险商实验室(UL)或国际电工委员会(IEC)等组织设定的这些安全和距离标准。尽管TO247套装已经广泛普及…»阅读更多

中高功率宽带隙半导体开关器件驱动电路综述
通过技术文件链接- 2022年2月4日-评论:0

摘要:“宽带隙(WBG)基于材料的开关器件，如氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)被认为是替代传统硅(Si) mosfet的非常有前途的候选器件，用于各种先进的功率转换应用，主要是因为它们的性能比…»阅读更多

复杂电力电子系统计算机辅助设计工具的比较分析
通过技术文件链接- 2022年1月21日-意见:0

摘要:“目前，从事半导体研究的公司不仅必须向客户保证半导体器件本身的性能，还必须确保其在实际板上实现时的性能，因此包括寄生效应的作用。因此，特别是在设计阶段，不仅要评估单个设备，还要评估整个电路板，这是非常重要的。»阅读更多

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