新的开放获取研究论文“基于Si、SiC和Ga-N的功率器件和半导体材料的回顾和评估”，主要来自印度的各个机构。
摘要
“半导体设备在实际实验和研究领域中扭曲了世界，这是毫无保留的。研究人员将与附近的学生交流半导体统计过程。在这项工作中，研究了不同品牌的半导体设备的基本性质及其独特性。一种类型的半导体是根据能量带隙和附加类型的半导体设备来区分的。半导体资源是电气和电子元件的基石。通过对材料的最新讨论和温度对不同材料的影响，给出了材料的通用论证，并揭示了现代密度、玄关电压值、传输速率、漏阻值等不同参数。讨论了不同半导体材料的特殊应用。”
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M. Siva Ramkumar, R. Priya, R. Felshiya Rajakumari, Prajoona Valsalan, M. Kalyan Chakravarthi, G. Charlyn Pushpa Latha, S. Mathupriya, kavtha Rajan，“基于Si, SiC和Ga-N的功率器件和半导体材料的回顾和评估”，纳米材料，vol. 2022, Article ID 8648284, 7页，2022。https://doi.org/10.1155/2022/8648284。
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