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标签:氮化镓

高压测试遥遥领先
通过凯伦·海曼- 2022年12月6日-评论

电压需求不断增加，尤其是电动汽车市场。甚至可能被认为电压相对较低的设备，如显示驱动器，现在也超过了既定的基准。虽然在高压环境下工作并不是什么新鲜事——许多工程师都能回忆起他们工作场所的黄色警告带——但数量众多、种类繁多的新要求已经使测试变得非常困难。»阅读更多

设备供应商为GaN市场爆发做好准备
通过阿黛尔神秘圣地- 2022年8月18日-评论:0

在消费设备和许多应用中对更高能效的需求的推动下，一个巨大的GaN市场正在开放。供应商已经准备好了，但要在高压汽车应用领域与SiC充分竞争，还需要功率GaN(氮化镓)的进一步技术发展。尽管如此，21世纪20年代是GaN市场的高增长阶段。收益在幂GaN标记…»阅读更多

用于自动化测试设备的GaN 8Gbps高速继电器MMIC
通过效果显著- 2022年8月9日-评论:0

研制了一种用于自动测试设备(ATE)的8 Gbps高速继电器MMIC，并进行了评估。金属-绝缘体-半导体结构与氧化氮化钽被用于降低ATE应用的泄漏电流。制造的MMIC显示0.3 nA的泄漏电流，12 GHz的-3 dB带宽，以及出色的8 Gbps信号与18引脚…»阅读更多

功率/性能位:6月28日
通过杰西·艾伦- 2022年6月28日-评论:0

韩国机械与材料研究所(KIMM)和新加坡南洋理工大学(NTU Singapore)的科学家们提出了一种将纳米转移打印与金属辅助化学蚀刻结合起来的技术，以改善晶圆的均匀性并提高产量。研究人员使用了一种无化学物质的纳米转移打印技术，将金纳米颗粒转移到金属表面。»阅读更多

ORNL:在极端温度和辐射下使用宽带隙半导体材料的优势
通过技术文件链接- 2022年6月13日-评论:0

ORNL(橡树岭国家实验室)题为“极端温度和辐射环境下的宽带隙半导体”的研究论文。“随着其更大的电压击穿，更高的电流限制和更快的开关速度，宽带隙半导体在市场上的应用越来越多，而不是传统上占主导地位的硅器件。碳化硅半导体有…»阅读更多

电力电子用硅、碳化硅和氮化镓概述
通过技术文件链接- 2022年5月20日-意见:0

新的开放获取研究论文“基于Si、SiC和Ga-N的功率器件和半导体材料的回顾和评估”，主要来自印度的各个机构。摘要:无论是在实际实验中，还是在研究领域中，半导体设备对世界的扭曲都是毫无保留的。研究人员将介绍半导体的生产过程。»阅读更多

高功率密度充电器和适配器的全gan解决方案
通过英飞凌- 2022年4月13日-意见:0

由于对高功率密度的持续需求，USB-C快速充电器的开关频率需要增加，以减小变压器和滤波器组件的尺寸。基于宽带隙(WBG)半导体材料的新兴技术为提高功率密度提供了新途径。在高开关频率下，用于同步整流器(SR)开关的GaN hemt具有较强的抗干扰能力。»阅读更多

利用数据自扩充改进基于机器学习的半导体器件建模
通过技术文件链接- 2022年3月24日-意见:0

摘要:“在电子行业，引入基于机器学习(ML)的技术可以增强技术计算机辅助设计(TCAD)方法。然而，ML模型的性能高度依赖于它们的训练数据集。特别是在半导体行业，考虑到半导体器件的制造过程复杂而昂贵，这是一个很大的…»阅读更多

电力、电动汽车市场需要GaN集成电路
通过凯瑟琳德比郡- 2022年3月17日-意见:0

使用分立GaN元件构建的电路可能可以完成这项工作，但完全集成的GaN电路仍然是最终目标，因为它们将提供许多与集成硅电路相同的优势。这些优点包括随着电路占地面积的扩大而降低成本，并通过较短的互连运行降低寄生电阻和电容。此外，提高了器件性能。»阅读更多

HBM，纳米片fet驱动x射线Fab使用
通过劳拉·彼得斯- 2022年3月8日-评论:0

布鲁克x射线业务副总裁兼总经理保罗·瑞安(Paul Ryan)与半导体工程公司(Semiconductor Engineering)坐下来讨论了x射线计量技术在制造业中的应用，以更好地控制纳米片薄膜堆叠和焊料凹凸质量。SE:你认为目前增长最快的领域是哪里?从应用方面来说，推动你们技术发展的关键因素是什么?Ryan:一个b……»阅读更多

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