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标签:半导体材料

新型半导体家族
通过技术文件链接- 2022年6月21日-评论:0

来自爱荷华州立大学化学系和美国能源部艾姆斯实验室的研究人员的新研究论文《用于笼状奇异聚阳离子的半导体硅磷框架》。摘要“AAe6Si12P20X (A = Na, K, Rb, Cs;Ae = Sr, Ba;X = Cl, Br, I)。它们的晶体结构具有四面体Si-P f…»阅读更多

电力电子用硅、碳化硅和氮化镓概述
通过技术文件链接- 2022年5月20日-意见:0

新的开放获取研究论文“基于Si、SiC和Ga-N的功率器件和半导体材料的回顾和评估”，主要来自印度的各个机构。摘要:无论是在实际实验中，还是在研究领域中，半导体设备对世界的扭曲都是毫无保留的。研究人员将介绍半导体的生产过程。»阅读更多

分子束外延法制备BaZrS3硫系钙钛矿薄膜
通过技术文件链接- 2021年11月13日-意见:0

摘要:采用分子束外延法制备了BaZrS3薄膜。BaZrS3与ZrS6八面体共角形成正交扭曲钙钛矿结构。单步MBE工艺使薄膜在原子尺度上光滑，具有近乎完美的BaZrS3化学计量，并与LaAlO3衬底具有原子锋利的界面。薄膜通过tw外延生长…»阅读更多

阶梯状si掺杂n-GaN结构gan基紫外led性能的改进
通过技术文件链接- 2021年10月6日-评论:0

“研究了一种利用阶梯状硅掺杂GaN层提高紫外发光二极管(uv - led)性能的方法。高分辨率x射线衍射结果表明，具有阶梯状硅掺杂GaN层的UV-LED具有较好的质量和较低的位错密度。此外，实验结果表明，光输出功率和壁塞效率均可提高。»阅读更多

采用2D半导体的更薄通道
通过凯瑟琳德比郡- 2021年6月21日-评论:0

迁移到未来的节点需要的不仅仅是更小的特性。在3/2nm及更远的工艺上，可能会添加新材料，但具体是哪种新材料，以及何时加入，将取决于全球大学和公司正在进行的材料科学研究的爆发。用场效应晶体管，施加在栅极上的电压在通道中产生电场，使禁带弯曲。»阅读更多

系统位:3月26日
通过杰夫Dorsch- 2019年3月26日-评论:0

网上有很多谎言。佛罗里达州立大学的Shuyuan Ho想用在线测谎仪揭开这些谎言。“我研究的未来是一种在线测谎仪，它可以以多种不同的方式使用，”何说，他是传播与信息学院的副教授。“你可以用它来在线约会、Facebook、Twitter……»阅读更多

系统数据:9月2日
通过安Mutschler- 2014年9月2日-评论:0

来自华盛顿大学、香港大学和华威大学的一组研究人员已经证明，两种单层半导体材料可以以原子无缝的方式连接，即异质结(heterojunction)，他们预计这可能成为下一代柔性透明计算的基础，更好的发光性能。»阅读更多

2013年材料市场将突破500亿美元
通过劳拉Chamness- 2012年9月20日-评论:0

鉴于当前的宏观经济逆风，事实证明，今年的预测颇具挑战性。多数分析师最近将半导体收入预期下调至持平或低个位数，低于今年早些时候更为乐观的4% - 6%的增长预期。SEMI认为，半导体材料将随着器件市场的发展而发展。因此，……»阅读更多

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