一个方法来提高紫外发光二极管的性能(UV-LEDs) stair-like Si-doping氮化镓层是调查
文摘
”一个方法来提高紫外发光二极管的性能(UV-LEDs) stair-like Si-doping氮化镓层是调查。的高分辨率x射线衍射表明UV-LED stair-like Si-doping氮化镓层具有更好的质量和更低的位错密度。此外,实验结果表明,光输出功率和墙上插座效率的UV-LED stair-like Si-doping GaN明显改善。通过实验和仿真结果的分析,我们可以推断有两个原因的改善光电特点:减少当前的位错密度和缓解拥挤的UV-LEDs介绍stair-like Si-doping甘。”
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宏昌Xiaomeng, Shengrui徐道,Ruoshi Peng Jinjuan Du,应赵,金丰张金城张,悦豪。2021。“改进GaN-Based紫外发光二极管的性能与Stair-like Si-Doping n-GaN结构”水晶11日没有。10:1203。https://doi.org/10.3390/cryst11101203。发表:2021年10月6日。
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