新方法在建立工厂和模式面具。
通过简•彼得斯(bmbg咨询)和伊内斯谢尔(Vistec电子束)
欧洲面具和光刻技术会议(EMLC) 2023年,出席了在德累斯顿今年6月举行,大约有180人和超过60会谈和海报。与几个主题,邀请谈判在两天半,会议给了欧洲的半导体技术景观的概述,包括新成立的或计划新晶圆厂。英特尔、博世和英飞凌提出他们的活动在爱尔兰和德国建立他们的晶圆厂。EMLC期间,很明显的一个驱动因素EUV掩模的发展基础设施的出现多波束面具作家。
英特尔的工厂34将前往英特尔4节点,要求使用大容量EUV生产。英特尔乔英语谈论如何在大容量光掩模技术是一个关键的推动者EUV制造业。他显示,切换到EUV需要一个新的工厂管理方法与很多方面有关十字线。EUV抬高了十字线每产品成本大约四倍相比,最新的生产节点。英特尔将使用机器学习来支持工厂的路由。
基督教从博世Koitzsch德累斯顿给一个帐户的新300 mm晶圆厂”从格林菲尔德到高收益。“这工厂是关注多样化的技术要求在ASIC和大功率应用。工厂被建造和完成COVID流感大流行期间使用许多虚拟技术。拥有最自动化工厂的目标是支持一个建筑信息建模系统。建筑是激光扫描每四个星期保持虚拟与真实的工厂同步信息。游戏化是用于培训员工。MES系统的新工厂成立的干燥的运行在一个年长的晶圆厂之前转移到德累斯顿。虚拟工具进行连接。所有这些技术到位,工厂可以运行在周末只有15人。
最新的工厂开发在德累斯顿报告由英飞凌杜米尼克刺。工厂计划在操作为thin-wafer 2026年秋,大功率设备。它还将举办一个新的研发中心。
面具模式会话,Sang-Hee李从三星的历史作了一个概述电子束面具和创新写作EUV掩模图案。目前,EUV掩码写的时间是14到18个小时。他们主要关心high-NA面具是缝合半部分掩盖错误。
香取Yoshikawa从DNP报道先进的EUV掩模过程开发结合多波束面具写作(MBMW)和ultra-high-resolution化学放大抵制(汽车)。DNP自2017年以来一直在使用MBMW。超高分辨率的车在球兰EUV空白,他们表现出一种改进的性能和线边缘粗糙度(l)到50纳米线/空间和60 nm接触孔结构。未来使用低氮吸收材料,他们希望看到一个等价的性能到32 nm。EUV high-NA掩模过程仍然需要改进帮助功能,但下一代的表拒绝他们可以获得所需的性能线/空间和隔离线。
第一Aibara NuFlare技术显示多波束系统的最新发展。喜忧参半- 2000在2021年被释放和目标N3节点,而喜忧参半- 2000 +到达一年后超越N3为节点。下一代喜忧参半3000与500 k梁将有10个小时写的时间,有一个12纳米梁的大小。
马赛厄斯从IMS Tomandl奈米制造工具的计划作了一个概述。目前50多波束工具。扩展他们的投资组合与mbmw flex - 100更成熟的节点为未来的节点和开发工具。mbmw - 301为3 nm节点目前正在测试与行业合作伙伴。mbmw - 401将在2025年上市。
除了EUV光刻技术及其相关技术的最新进展,使用nanoimprint光刻(NIL)包括模板制造技术计划的一部分。不断增长的需求为NIL大多是由应用程序在AR / VR和光子学,也需要新的模板模式和有效的解决方案。
伊内斯谢尔是营销和销售经理Vistec电子束。
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谢谢你的总结得好!
IMS mbmw - 201是用于世界各地的3 nm节点。IMS mbmw - 301是专为2 nm。