技术论文题为“打开单片集成场景:之间的光耦合GaSb二极管激光器外延生长在有图案的硅基质和被动罪孽波导”由蒙彼利埃大学的研究人员发表Tyndall国立研究所,明斯特科技大学和理工大学的巴里。
“硅(Si)光子学最近成为一个关键使能技术在许多应用领域由于成熟的硅工艺,大型硅片尺寸,并承诺如果光学性质。的单片集成电路直接外延III-V激光和硅光子设备相同的Si衬底几十年来一直被认为是实现密集的光子芯片的主要障碍。尽管相当大的进步在过去的十年中,只有离散III-V激光种植在裸露的硅晶片已报告,无论波长和激光技术。这里我们展示第一个半导体激光器生长在有图案的硅光子学与光耦合进波导的平台。不仅一个中GaSb-based二极管激光直接种植在pre-patterned硅光子学晶片配备罪SiO波导包层2。增长和设备制造的挑战,因模板架构,是克服展示超过10 mW outpower连续波发射光的在室温下操作。此外,约10%的光波导耦合入罪,在良好的协议与理论计算butt-coupling配置。这项工作提升的一个重要基石,它为未来铺平了道路低成本、大规模、完全集成光子芯片。”
找到这里的技术论文。2023年6月出版。
雷米,。Monge-Bartolome, L。Paparella m . et al .解锁,单片集成场景:之间的光耦合GaSb二极管激光器外延生长在有图案的硅基板和被动罪恶波导。光科学:150 (2023)。https://doi.org/10.1038/s41377 - 023 - 01185 - 4
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