III-V激光图案硅光子学平台上生长与光耦合到被动罪恶波导

通过技术论文链接- 7月28日,2023 -评论:0

技术论文题为“打开单片集成场景:之间的光耦合GaSb二极管激光器外延生长在有图案的硅基质和被动罪孽波导”由蒙彼利埃大学的研究人员发表Tyndall国立研究所,明斯特科技大学和理工大学的巴里。文摘:“硅(Si)光子学最近……»阅读更多

在外延晶体相位控制杂交III-V半导体硅

通过技术论文链接- 12月21日,2021 -评论:0

文摘:“反相边界的形成和传播(apb) III-V半导体硅上外延生长的仍然是伟大的辩论的话题,尽管许多研究关注这个话题在过去的几十年。层的控制阶段是未来重大的光子集成电路的实现,包括问题……»阅读更多

通过马克LaPedus- 1月21日,2021 -评论:1

托德Younkin,新总裁兼首席执行官的半导体研究公司(SRC),坐下来和半导体工程讨论工程事业,研发趋势和领先的芯片技术在未来十年。以下是摘录的谈话。SE:美国基于芯片的财团,SRC宪章》是什么?Younkin:半导体的研究……»阅读更多