文摘:
“反相边界的形成和传播(apb) III-V半导体硅上外延生长的仍然是伟大的辩论的话题,尽管许多研究关注这个话题在过去的几十年。层的控制阶段是未来重大的光子集成电路的实现,包括高效光源或新器件制备,例如。这里,通过实验证明了主要阶段域酝酿反相域(adp)因为它生长得更快。大规模的分析阶段进化基于反射高能电子衍射和原子力显微镜在GaSb的分子束外延硅(001)衬底。增长率两个域之间的区别是准确测量并显示来自原子步骤III-V面上的分布。的影响衬底的制备以及生长条件分布也澄清。”
把这个开放获取技术论文在这里。公布的10/2021。
力拓卡尔沃,M。罗德里格斯,j·B。短号,C。Cerutti, L。Ramonda, M。Trampert,。Patriarche, G。& Tournie E。(2021)。晶体相位控制在3 V半导体与硅外延杂交。先进的电子材料,2100777。
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