标签:蒙彼利埃大学

抗辐射非易失性磁铁闩,容忍鼻烟和DNUs
通过技术论文链接9月- 13,2022 -评论:0

研究论文题为“抗辐射和高可靠性和持久性存储非易失性磁锁”是安徽大学的研究人员发表的,合肥工业大学,LIRMM, Kyutech。根据文摘:“基于先进triple-path dual-interlocked-storage-cell (TPDICE)和mtj,本文提出一种抗辐射非易失性magneti……»阅读更多

技术论文摘要:9月12日
通过琳达·克里斯坦森9月- 12,2022 -评论:0

新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 51 /)半导体工程建设过程中这个库的研究论文。请将建议(通过下面的评论栏)还有什么你想让我们把。如果你有研究论文你努力推广,我们将检查它们是否适合f……»阅读更多

健壮的舌强硬地反对QNUs 22纳米CMOS技术的安全性至关重要的应用程序
通过技术论文链接- 07年9月,2022 -评论:0

技术论文题为“既和健壮的舌强硬地反对四节点为纳米级CMOS令”是安徽大学的研究人员发表的,合肥工业大学,安徽理工大学、九州技术研究所和蒙彼利埃大学/ CNRS。文摘:”积极降低CMOS晶体管特征尺寸,软……»阅读更多

并联电路执行& NISQ计算
通过技术论文链接2022年5月- 02年-评论:0

蒙彼利埃大学研究LIRMM CNRS。抽象的“量子计算是嘈杂的中间尺度量子(NISQ)硬件上执行在短期内。只有小电路可以可靠地执行一个量子机由于不可避免的噪声对NISQ量子操作设备,导致硬件资源的利用不足。与不断增长的需求访问全…»阅读更多

提高电池的新方法
通过凯瑟琳德比郡——2022年1月20日——评论:0

世界各地的研究人员正在竞相开发更高效,密度,和更安全的电池技术,达到远远超出了研究的领域。这受到担忧从内燃机排气,负责全球二氧化碳排放的很大一部分。今天几乎所有汽车制造商已经宣布计划开发batte……»阅读更多

在外延晶体相位控制杂交III-V半导体硅
通过技术论文链接- 12月21日,2021 -评论:0

文摘:“反相边界的形成和传播(apb) III-V半导体硅上外延生长的仍然是伟大的辩论的话题,尽管许多研究关注这个话题在过去的几十年。层的控制阶段是未来重大的光子集成电路的实现,包括问题……»阅读更多

量子阱间带半导体激光器高度容忍混乱
通过技术论文链接11月- 11,2021 -评论:0

抽象”III-V半导体激光器集成Si-based光子产业平台都热切期待的大规模应用,从连接到芯片上的感应。目前的理解是,只有量子点激光器可以合理地运作产生的位错密度高III-V-on-Si异质外延,导致高无辐射载体重组……»阅读更多

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