研究论文题为“抗辐射和高可靠性和持久性存储非易失性磁锁”是安徽大学的研究人员发表的,合肥工业大学,LIRMM, Kyutech。
根据文摘:
“基于一种先进triple-path dual-interlocked-storage-cell (TPDICE)和mtj,本文提出一种抗辐射非易失性磁锁,即M-TPDICE,,完全可以容忍单节点不适(鼻烟)和double-node不适(DNUs)。HSPICE工具模拟提出了门闩45纳米CMOS技术模型已经证明的有效性提出闩。”
找到这里的技术论文。2022年9月。
引用:周Aibin燕,梁叮,甄Zhengfeng黄杰崔,et al . .一个抗辐射与高可靠性和持久性存储非易失性磁铁闩。at 2022 - 29日IEEE亚洲测试研讨会,2022年11月,台中,台湾。在出版社。⟨lirmm - 03770951⟩。
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