辐射硬化非挥发性磁闩,可耐受snu和DNUs


安徽大学、合肥工业大学、LIRMM和kyyutech的研究人员发表了一篇题为“一种具有高可靠性和持久存储的辐射硬化非挥发性磁闩”的研究论文。摘要指出:“本文在先进的三路双联锁存储单元(tpice)和MTJs的基础上,提出了一种抗辐射的非易失磁元件。»阅读更多

技术论文综述:9月12日


新的技术论文增加到半导体工程图书馆本周。[table id=51 /]半导体工程正在建立这个研究论文库。请发送建议(通过下面的评论部分),告诉我们你还想加入什么。如果你有研究论文,你试图推广,我们将审查他们,看看他们是否适合…»阅读更多

22nm CMOS技术中安全关键应用的坚固锁存器抗QNUs


安徽大学、合肥工业大学、安徽工业大学、九州理工大学和蒙彼利埃大学/CNRS的研究人员刚刚发表了一篇题为“用于纳米CMOS的四节点扰动的成本优化和健壮闩锁硬化”的技术论文。摘要:“随着CMOS晶体管特征尺寸的急剧减小,软…»阅读更多

在情境中进行测试


随着芯片复杂性的增加,以及集成电路部署在更加安全关键和任务关键的应用程序中,环境测试开始获得更广泛的吸引力。虽然在上下文中设计已经成为soc的标准已经有一段时间了,但在测试中采用类似的方法却进展缓慢。细胞感知测试技术在十年前首次被描述,从那时起,它的应用一直是适度的。但是w…»阅读更多

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