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技术论文摘要:9月12日

cnn和硬件加速;GAAFETs;在汽车硬件信任锚;柔性薄膜晶体管;处理器起毛;相变;液态金属回路;四节点不适;nanosheets掺杂和微波。

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技术论文 研究机构
机器学习的方法来建模的内在参数波动Gate-All-Around Si Nanosheet mosfet 国立阳明大学(台湾)
肖特基势垒高度的控制单层WS2使用分子掺杂场效应晶体管 NIST,赛思研究,海军研究实验室,新星的研究
分析和评价的硬件信任锚在汽车领域 弗劳恩霍夫研究所坐下来CARIAD
一项调查显示有效的卷积神经网络和硬件加速 进程(韩国)
高密度集成的可伸缩的无机薄膜晶体管具有优良的性能和可靠性 电子和电信研究所(ETRI)在韩国
ProcessorFuzz:引导处理器起毛使用控制和状态寄存器 波士顿大学和华盛顿大学
x射线nanodiffraction成像揭示了不同纳米相变动力学的超快 阿贡国家实验室,加州大学,威斯康星大学麦迪逊分校
可伸缩的制造液态金属回路 卡内基梅隆大学
既和健壮的舌强硬地反对四节点为纳米级CMOS不适 安徽大学、合肥工业大学、安徽理工大学,九州技术研究所和蒙彼利埃大学/ CNRS
高效和稳定的激活的微波退火nanosheet硅掺杂磷高于其溶解度极限 国立台湾大学,康奈尔大学,台积电,巴利亚多利德大学DSG技术,国立中央大学和国家杨明交通大学

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