一个新的研究论文题为“控制肖特基垒高度在单层WS2使用分子掺杂的fet”由NIST、Theiss Research、海军研究实验室和Nova Research的研究人员发表。
文摘:
“开发可控地掺杂二维半导体的工艺对实现下一代电子和光电子器件至关重要。了解接触的性质是实现过渡金属二卤属化合物高效电荷注入的关键一步。在本研究中，化学气相沉积生长后n掺杂生长单层(ML) WS2是用分子还原剂溶液处理而成的。掺杂的程度可以方便地通过掺杂溶液的浓度和处理时间来控制。在掺杂WS中观察到阈值电压漂移和可调通道电流2场效应晶体管。这种分子n掺杂技术对于电接触所需的选择性区域掺杂特别有用，并降低了接触电阻(Rc)在ML WS2超过两个数量级。Rc的显著降低是由于在WS中获得了较高的电子掺杂密度2这导致肖特基势垒宽度和高度显著降低。作为概念证明，对单层WS进行n掺杂后2，我们实现了97 cm2 V-1 S-1的高机动性和超过106的高开关比。迁移率对温度的依赖性表明，掺杂后电荷-杂质散射受到了强烈的抑制。高水平的掺杂允许在单层WS中观察到金属-绝缘体转变2由于强烈的电子-电子相互作用。这种掺杂技术为调整过渡金属二卤属化合物的电学性能和改善接触提供了可行的途径，为高性能二维纳米电子器件铺平了道路。”
找到这里是技术文件．2022年8月出版。
Zhang, S.， Chuang, H.， Le, S.， Richter, C.， McCreary, K.， Jonker, B.， high Walker, A.和Hacker, C.(2022)，利用分子掺杂控制单层WS2 fet中的肖特基势垒高度，AIP进展，[在线]，https://doi.org/10.1063/5.0101033, https://tsapps.nist.gov/publication/get_pdf.cfm?pub_id=934233。
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