肖特基势垒高度的控制单层WS2使用分子掺杂场效应晶体管(NIST)


一个新的研究论文题为“控制单层WS2肖特基势垒高度的场效应晶体管使用分子掺杂”被NIST的研究人员发表,赛思研究,海军研究实验室,新星的研究。文摘:“的发展过程可控涂料二维半导体是至关重要的实现下一代电子和光电设备。波形的……»阅读更多

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