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标签:二维半导体

分子掺杂对单层WS2 fet肖特基势垒高度的控制
通过技术文件链接- 2022年9月7日-评论:0

NIST、Theiss research、海军研究实验室和Nova research的研究人员发表了一篇题为“使用分子掺杂控制单层WS2 fet中的肖特基势垒高度”的新研究论文。摘要:“开发可控地掺杂二维半导体的工艺对于实现下一代电子和光电子器件至关重要。波形的……»阅读更多

费米能级调谐提高非晶栅极氧化物二维晶体管的器件稳定性
通过技术文件链接- 2022年6月6日-评论:0

新的技术论文题为“通过费米级调谐提高二维晶体管非晶栅极氧化物的稳定性”，来自微电子研究所，维也纳，AMO GmbH，伍帕塔尔大学和亚琛工业大学的研究人员。“基于二维半导体的电子器件的电稳定性受到限制，因为载流子起源于…»阅读更多

确定原子薄半导体接触电阻的主导成分
通过技术文件链接- 2022年3月8日-评论:0

实现良好的电接触是实现基于原子薄二维半导体器件的主要挑战之一。一些研究已经检查了这一障碍，但目前缺乏对接触电阻的普遍理解和减少接触电阻的基本方法。在本工作中，我们揭示了经典接触电阻的缺点。»阅读更多

高效欧姆接触和内置原子子层保护在MoSi2N4和WSi2N4单层
通过技术文件链接- 2021年12月10日-意见:0

摘要金属与二维(2D)半导体的接触经常受到强费米能级钉住(FLP)效应的困扰，这种效应降低了肖特基势垒高度(SBH)的可调性，降低了二维半导体器件的性能。在这里，我们展示了MoSi2N4和WSi2N4单分子层-一个具有特殊物理性能的新兴2D半导体家族-展示了强…»阅读更多

电源/性能位:12月6日
通过杰西·艾伦- 2021年12月6日-意见:0

来自新加坡科技设计大学(SUTD)、衡阳师范大学、南京大学、新加坡国立大学和浙江大学的研究人员发现了一系列具有更低电阻并能够进一步缩放的2D半导体。“由于量子隧道效应，缩小硅基晶体管太过……»阅读更多

推动2D半导体向前发展
通过凯瑟琳德比郡- 2021年9月16日-评论

关于2D材料取代硅的传言似乎还为时过早。虽然2D半导体已经成为潜在的继任者，但尚不清楚这种情况何时甚至是否会发生。正如Imec量子和探索性计算主管尤利安娜·拉杜(Imec)所观察到的，硅的“末日”之前已经被预测过很多次。目前尚不清楚2D半导体何时需要准备就绪。前沿空中管制官…»阅读更多

石墨烯和硅技术的二维材料
通过技术文件链接- 2020年10月2日-评论

摘要:“硅半导体技术的发展通过将设备和电线的物理尺寸缩小到纳米级，在电子领域取得了突破——从20世纪60年代末到70年代初的微处理器，到自动化、计算机和智能手机。现在，石墨烯和相关的二维(2D)材料为器件提供了前所未有的发展前景。»阅读更多

不断增长的材料挑战
通过凯瑟琳德比郡- 2018年6月11日-评论:0

随着芯片的不断扩展，或者随着它们被用于人工智能或机器学习系统的传感器等新设备，材料已经成为整个半导体供应链中日益严峻的挑战。在高级节点，工程材料不再是可选的。它们现在是一种要求，芯片中新材料含量的数量包含…»阅读更多

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