经典接触电阻模型的缺点在描述接触二维材料,并提供一个修正的基础上,增加横向pseudo-junction电阻组件(R6月))。
文摘
“实现良好的电气接触的主要挑战之一是在实现设备自动基于薄的二维(2 d)半导体。几项研究已经检查了这个障碍,但普遍理解的接触电阻和一个潜在的方法来减少目前缺乏。在这个工作我们暴露的缺点经典的接触电阻模型在描述接触二维材料,并提供修正的基础上,增加横向pseudo-junction电阻组件(R6月)。我们用独特的接触电阻测量的组合实验描述R6月)倪联系人单层二硫化钼。我们发现R小君接触电阻的控制组件在纯的2 d设备和显示,它负责大部分的后门偏差和温度依赖性。我们的修正模型和实验结果有助于理解底层的物理接触先进的工程方法在减少的背景下,R小君。”
找到这里的技术论文。2021年。
方方面面,伊曼纽尔& Grady,瑞安&流行乐,埃里克·& Yalon Eilam。(2021)。确定的主要组件接触电阻自动薄半导体。
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