SUTD研究人员展示了新发现的二维(2D)半导体家族如何由于内置原子保护层的存在而更加节能。
摘要
“金属与二维(2D)半导体的接触经常受到强费米能级钉住(FLP)效应的困扰，该效应降低了肖特基势限高度(SBH)的可调性，并降低了二维半导体器件的性能。在这里，我们展示了MoSi2N4和WSi2N4单分子层——一种具有特殊物理性能的新兴2D半导体家族——表现出强烈的抑制FLP和大范围可调谐的SBH。获得了一个特别大的SBH斜率参数S≈0.7，优于绝大多数其他二维半导体。这种有趣的行为源于MoSi2N4和WSi2N4单层的七层形态，其中半导体电子态受到外围Si-N亚层的保护。我们发现Ti, Sc和Ni是MoSi2N4和WSi2N4的高效欧姆接触，具有零界面隧道势垒。我们的发现揭示了MoSi2N4和WSi2N4作为设计高性能和节能2D半导体电子器件的实用平台的潜力。”
王强，曹林，梁世杰，王强。et al。高效欧姆接触和内置原子子层保护在MoSi2N4和WSi2N4单层。npj 2D Mater application 5, 71(2021)。https://doi.org/10.1038/s41699 - 021 - 00251 - y。8/4/2021出版。
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