在光刻和图案方面要注意的事情。
在今年的SPIE高级光刻+制版会议前夕，我看了看IEEE器件与系统路线图的光刻部分．尤其值得注意的是EUV光刻技术的出现，它已迅速成为先进逻辑的关键。支持更小尺寸的高na工具即将问世。不过，近期的关键挑战不是分辨率，而是控制:CD控制、线宽粗糙度、线边缘粗糙度、CD均匀性和覆盖。
与此同时，EUV照明生产效率低下，加剧了该行业已经相当大的能源需求。芯片制造消耗了台湾电力供应总量的10%。路线图估计，从N7逻辑节点到N3逻辑节点，晶圆厂的能源需求将增加约60%。虽然EUV工艺的步骤更少，但没有节省能源。
NAND闪存通道蚀刻模型
3D NAND闪存结构中的垂直通道是通过蚀刻一层厚厚的交替氮化硅和二氧化硅层，然后从沟槽底部选择性地生长外延硅来产生的。存储密度的每一次增加都会带来额外的层和更高的纵横比。维也纳理工大学的一个小组，提出了一种新的模型用于蚀刻和选择性生长过程。他们发现，在外延生长阶段，高能离子会破坏底层的硅，导致覆盖度差。低能等离子体处理可以去除受损层，促进高晶体硅的生长。
将石墨烯转移
在我关于二维半导体的文章中，英飞凌技术公司、亚琛工业大学、Protemics和Advantest的研究人员已评估的替代转移方法并展示了一种不使用粘性聚合物将石墨烯从铜箔转移到硅片的工具。他们希望使用载体晶圆的“半干”传输方法更具可扩展性，因为载体晶圆简化了处理和自动化。他们相信他们的结论也适用于其他二维半导体。
有机半导体，一砖一瓦
碳化学的复杂性为研究有机半导体的科学家提供了大量的潜在选择。一种很有前途的方法是使用π电子系统(电子占据原子p轨道的系统)来创建堆叠的组件。一堆带相同电荷的粒子具有有趣的半导体特性，但由于静电斥力的存在而难以构建。日本立命馆大学的研究人员研究了反阴离子可以帮助调优这些程序集的结构和属性。
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