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技术论文

二维材料晶体管中接触电阻的降低

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一份名为“WS2由国立阳明交通大学研究人员发表的《界面处硫原子被替换的晶体管:第一性原理量子输运研究》。

摘要

“降低接触电阻是开发基于二维材料的晶体管的主要挑战之一。在本研究中,我们采用了一种新型的部分硫取代边缘接触金属/WSX/WS进行第一原理量子输运计算2从而降低肖特基势垒高度,进而降低接触电阻。在这里,硫替代物产生了一段超材料WSX (X = P, As, F和Cl),使用V族或卤素原子替代WS一侧的硫原子2单层。我们进一步比较了硫置换对界面金属化和键合的影响。对于p型Pt/WSP/WS,这种wsx缓冲触点的接触电阻低至142和173 Ω·μm2n型Ti/WSCl/WS2分别是边缘触点。此外,采用从头分子动力学方法,在室温下观察到稳定的独立WSX单层。

找到开放获取技术纸在这里.2023年3月出版。

Chung, Chih-Hung,等,“硫磺原子在界面被替换的WS2晶体管:第一性原理量子输运研究”。ACS Omega(2023)。https://doi.org/10.1021/acsomega.2c08275。



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