密歇根大学的研究人员发表了一篇题为“全外延单片ScAlN/AlGaN/GaN铁电HEMT”的新技术论文。
“我们可以使我们的铁电HEMT可重新配置，”这意味着它可以作为几个器件工作，例如一个放大器可以作为几个放大器工作，我们可以动态控制。这使我们能够减少电路面积，降低成本和能源消耗，”密歇根大学ECE的第一作者和研究科学家丁王说新闻发布会上．
找到技术纸在这里．2023年3月出版。
P D王,王,他,刘,J。,Mondal, S。,,,…& Mi, z(2023)。全外延，单片ScAlN/AlGaN/GaN铁电HEMT。应用物理通讯，122(9), 090601年。https://doi.org/10.1063/5.0143645。
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