标签:分子束外延

铁电HEMT晶体管可重构(美国密歇根州)
通过技术论文链接2023年3月- 10 -评论:0

一个新的技术论文题为“完全外延,单片ScAlN /沃甘/氮化镓铁电HEMT”是密歇根大学的研究人员发表的。“我们可以使我们的铁电HEMT可重构”,这意味着它可以作为一些设备,如放大器作为一个放大器,我们可以动态地控制。这使我们能够减少电路面积和降低…»阅读更多

铁电纳米级(5海里)半导体(密歇根州立大学)
通过技术论文链接2023年2月- 08年(-评论:0

新技术论文题为“按比例缩小到5纳米厚度的铁电ScAlN CMOS兼容钼增长了分子束外延”发表了密歇根大学的研究人员与美国国防部高级研究计划局资助。“铁电半导体脱颖而出,因为他们可以维持一个电极化,如磁性的电动版。但与冰箱)……»阅读更多

使BaZrS3硫族化物钙钛矿通过分子束外延薄膜
通过技术论文链接11月- 13,2021 -评论:0

文摘:我们将演示制作BaZrS3薄膜的分子束外延(MBE)。BaZrS3形式的斜方晶系的distorted-perovskite结构corner-sharing ZrS6正八面体。MBE单步过程导致电影顺利在原子尺度上,近乎完美的BaZrS3化学计量和几种原子级尺寸的LaAlO3基体的界面。电影通过tw外延生长……»阅读更多

射频GaN收益蒸汽
通过马克LaPedus——7月25日,2016 -评论:0

(getkc RF id = " 217 " kc_name =“氮化镓”](GaN)设备市场升温之际,需要更多的性能更好的一系列系统的功率密度,如基础设施设备、导弹防御系统和雷达。在一个方面,例如,射频GaN开始取代硅基技术在当今无线基站功率放大器插座。氮化镓是m…»阅读更多

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