在DARPA的资助下，密歇根大学的研究人员发表了一篇题为“在分子束外延生长的CMOS兼容钼上将铁电ScAlN的厚度降至5纳米”的新技术论文。
铁电半导体从其他半导体中脱颖而出，因为它们可以维持电极化，就像磁的电版本。但与冰箱贴不同的是，它们可以切换正极和负极。这种特性可以用在很多方面，包括感应光和声振动，以及收集它们的能量，”密歇根大学说新闻文章．该团队使用分子束外延，控制铁电半导体中的每一层原子，并将原子从表面的损失最小化，最终缩小到5nm。
找到开放获取这里是技术文件．2023年1月出版。
王丁，王平，胡明涛，王丹浩，吴元鹏，马涛，米泽天，“分子束外延生长在CMOS兼容钼上铁电ScAlN的厚度降至5 nm”，应用物理学报。理论物理。电话122,052101 (2023)https://doi.org/10.1063/5.0136265。
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