标签:铁电

铁电极化单质或单个元素化合物
通过技术论文链接- 09年4月,2023 -评论:0

技术论文题为“一个单元素铋单层二维铁电性”是新加坡国立大学的研究人员发表的,浙江大学、天津大学、中国科学院大学。抽象的“铁电材料是迷人的非易失性可切换的电偏振引起的自发inversi……»阅读更多

铁电HEMT晶体管可重构(美国密歇根州)
通过技术论文链接2023年3月- 10 -评论:0

一个新的技术论文题为“完全外延,单片ScAlN /沃甘/氮化镓铁电HEMT”是密歇根大学的研究人员发表的。“我们可以使我们的铁电HEMT可重构”,这意味着它可以作为一些设备,如放大器作为一个放大器,我们可以动态地控制。这使我们能够减少电路面积和降低…»阅读更多

铁电纳米级(5海里)半导体(密歇根州立大学)
通过技术论文链接2023年2月- 08年(-评论:0

新技术论文题为“按比例缩小到5纳米厚度的铁电ScAlN CMOS兼容钼增长了分子束外延”发表了密歇根大学的研究人员与美国国防部高级研究计划局资助。“铁电半导体脱颖而出,因为他们可以维持一个电极化,如磁性的电动版。但与冰箱)……»阅读更多

MAC操作28 nm High-k金属门FeFET-based内存数组与ADC(弗劳恩霍夫ipm / GF)
通过技术论文链接——2022年12月1日电——评论:0

技术论文题为“Multiply-Accumulate操作示范与28 nm FeFET横梁数组”被弗劳恩霍夫ipm和GlobalFoundries的研究人员发表。抽象的“这封信报告一个线性multiply-accumulate (MAC)操作进行一个横梁内存数组基于28 nm high-k金属门(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电fi……»阅读更多

稳定铪氧化物薄膜在夹在金属衬底和电极
通过技术论文链接11月17日,2022 -评论:0

技术论文题为“铁电起源阶段通过夹紧稳定效应”在铁电氧化锆铪薄膜由研究人员发表在弗吉尼亚大学,布朗大学,桑迪亚国家实验室和橡树岭国家实验室。资金是由美国能源部的3 d铁电微电子能源前沿研究中心和SRC。“这项研究……»阅读更多

使用FeFETs HDC Multi-Bit内存计算系统,实现SW-Equivalent-Accuracies
通过技术论文链接11月- 11,2022 -评论:0

新技术论文题为“实现software-equivalent hyperdimensional计算精度与ferroelectric-based内存计算”巴黎圣母院大学的研究人员,弗劳恩霍夫光子微系统研究所,加州大学欧文分校,德累斯顿技术大学。“我们现在multi-bit HDC IMC系统使用铁电场效应晶体管……»阅读更多

神经形态计算:挑战、机遇包括材料、算法、设备和道德
通过技术论文链接- 06年7月,2022 -评论:0

这个新的研究论文题为“2022路线图神经形态计算和工程”是由许多丹麦技术大学的研究人员,学院Microelectronica de塞维利亚CSIC,塞维利亚大学和许多其他人。部分摘要:“本路线图的目的是提出一个快照的神经形态技术的现状,并提供一个意见chall……»阅读更多

探索远离平衡的超快的偏振控制铁电氧化物与激发态量子分子动力学神经网络
通过技术论文链接- 01年4月,2022 -评论:0

新的学术论文的南加州大学维特比工程学院:抽象的“铁电材料表现出丰富的一系列复杂的极地拓扑,但他们的研究在远离平衡的光激发的困难很大程度上是未知的,因为建模所涉及的多时空尺度的方式。在时空尺度上研究光激发w……»阅读更多

非易失性内存计算电容横梁数组
通过技术论文链接- 3月29日,2022 -评论:0

抽象”传统电阻横梁数组内存计算患有静态电流/功率高,严重的IR降,并偷偷路径。相比之下,“电容”横梁阵列,利用瞬变电流和电荷转移引起了人们的注意,因为它只1)动态功率消耗,2)没有直流通路,避免严重的IR降(因此,selector-free),和3)f……»阅读更多

铁电半导体场效应晶体管
通过技术论文链接- 12月31日,2019 -评论:0

文摘:“铁电场效应晶体管采用铁电材料作为栅极绝缘层,偏振状态的可以使用的通道电导检测设备。结果,使用的设备是潜在的非易失性内存技术,但是他们遭受保留时间短,这限制了其广泛应用。在这里,我们报告一个铁电sem……»阅读更多

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