文摘
“传统电阻横梁数组内存计算患有静态电流/功率高,严重的IR降,并偷偷路径。相比之下,“电容”横梁阵列,利用瞬变电流和电荷转移引起了人们的注意,因为它只1)动态功率消耗,2)没有直流通路,避免严重的IR降(因此,selector-free),和3)可以捏造的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路3 d-stacking。第一次,铁电高频0.5Zr0.5O2(HZO)电容横梁数组是实验演示。HZO电极接口的不对称导致了小信号电容开/关率> 110%,可以达到read-disturb-free操作。向量矩阵乘法(VMM)实验是在捏造电容横梁数组,显示的线性加权和与数字输入或使用状态的重量。array-level VMM操作可以保持体重模式重组后1)成千上万的1 / 3 V脉冲和2)女士一个外推10年保持在85°C。Array-level电路模拟在22 nm节点显示一系列电容横梁的能源消耗比电阻低20 - 200×横梁数组。此外,analog-shift-and-add电路设计用于多位数的重量总和,实现地区低16.6%和26.9%能耗低于digital-shift-and-add电路。”
找到开放获取这里的技术论文。2022年2月出版。
户珥,J。罗,Y。陆,。王,T。李,S。汗,人工智能和Yu,美国(2022年),非易失性内存计算电容横梁数组。放置智能。系统。2100258。https://doi.org/10.1002/aisy.202100258。
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