标签:人工突触

28 nm-hkmg-based FeFET突触应用程序的设备
通过技术论文链接2023年5月- 09年-评论:0

技术论文题为“28 nm high-k-metal门铁电场效应晶体管基础突触——一个全面概述”由研究人员发表Fraunhofer-Institut毛皮Photonische Mikrosysteme ipm,印度科技学院的马德拉斯,GlobalFoundries。文摘本文邀请我们提出一个全面的概述28 nm high-k-metal gate-based铁电f……»阅读更多

非易失性内存计算电容横梁数组
通过技术论文链接- 3月29日,2022 -评论:0

抽象”传统电阻横梁数组内存计算患有静态电流/功率高,严重的IR降,并偷偷路径。相比之下,“电容”横梁阵列,利用瞬变电流和电荷转移引起了人们的注意,因为它只1)动态功率消耗,2)没有直流通路,避免严重的IR降(因此,selector-free),和3)f……»阅读更多

系统:5月6日
通过杰夫Dorsch2019年5月- 06 -评论:0

传输数据与半导体激光器哈佛研究人员约翰·a·保尔森工程和应用科学学院演示激光发射微波无线,调制,接收外部无线电频率信号。“研究了新型混合electronic-photonic设备和超高速无线网络的第一步,“说…»阅读更多

电力/性能:12月26日
通过杰西·艾伦——2018年12月26日-评论:0

2 nm记忆电阻器麻省阿默斯特大学的研究人员和布鲁克海文国家实验室建立忆阻器横梁数组2纳米特征尺寸和单层密度每平方英寸4.5位。小组说数组还建有foundry-compatible制造技术。“这项工作将导致高密度记忆电阻阵列与低功耗fo…»阅读更多

系统信息:2月21日
通过安Mutschler- 2月21日,2017 -评论:0

重建大脑斯坦福大学和桑迪亚国家实验室的研究人员创建了一个有机的、高性能、低能耗的人工突触神经网络计算,旨在更好的再现人类大脑处理信息的方式,也可以导致脑机的改进技术。Alberto Salleo副教授材料科学和e……»阅读更多

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