技术论文题为“28 nm high-k-metal门铁电场效应晶体管基础突触——一个全面概述”由研究人员发表Fraunhofer-Institut毛皮Photonische Mikrosysteme ipm,印度科技学院的马德拉斯,GlobalFoundries。
文摘
邀请的这篇文章中我们提出一个全面的概述28 nm high-k-metal gate-based铁电突触应用场效应晶体管器件。测试设备在GlobalFoundries印制在300 mm晶片。制造设备演示103耐久性周期和104秒的数据保留能力在85°C。我们也评估了FeFET-based横梁数组在系统级应用程序的性能。系统性能评估通过模拟神经形态的FeFET横梁数组的应用。数据集的国家标准与技术研究院(MNIST)、横梁数组实现software-comparable推理精度约97%的使用多层感知器(MLP)神经网络。”
找到这里的技术论文。2023年4月出版。
Raffel亚尼克,弗朗茨·穆勒,Sunanda雷声,马苏德•拉纳Sk,马克西米利安莱德尔,卢卡·皮,斯文拜尔et al。”28 nm high-k-metal门基于铁电场效应晶体管synapses-A全面概述。”Memories-Materials、设备、电路和系统(2023):100048。
IBM GlobalFoundries起诉;欧盟的47美元b芯片计划;中国芯片产出下降;空间打造开放我们设施;首先LPDDR闪存;可变形的纳米电子设备;桌面三维x光显微镜。
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