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标签:FeFET

铁电体:负电容的梦想
通过凯瑟琳德比郡- 2022年12月15日-意见:0

随着芯片制造商寻找维持驱动电流的新方法，铁电体正受到认真的重新审视。铁电材料可以提供非易失性存储器，在DRAM和闪存之间提供重要的功能间隙。事实上，用于存储器的铁电体和用于晶体管的2D通道是最近IEEE电子设备会议的两个亮点。Ferroelectri……»阅读更多

掺硅氧化铪作为铁电层制备FeFET器件
通过技术文件链接- 2022年12月6日-评论:0

Fraunhofer IPMS, GlobalFoundries和TU Bergakademie Freiberg的研究人员发表了一篇题为“用于内存计算应用的基于hfo2 fefet的界面层工程和READ-Voltage优化的协同方法”的新技术论文。抽象(部分)“这篇文章报道了氧化铪基(HfO2)铁电材料性能的改善。»阅读更多

28nm高k金属栅fefet存储阵列的MAC运算
通过技术文件链接- 2022年12月1日-意见:0

Fraunhofer IPMS和GlobalFoundries的研究人员发表了一篇题为“28 nm FeFET交叉阵列乘法累积操作演示”的技术论文。摘要:本文报告了在基于28nm高k金属栅(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电fi的交叉棒存储器阵列上进行的线性乘积(MAC)操作。»阅读更多

基于cmos兼容FeFET的储层HW计算
通过技术文件链接- 2022年8月7日-评论:0

东京大学的研究人员发表了一篇题为“带铁电场效应晶体管的硅平台上的储层计算”的新技术论文。研究人员报告了“基于由硅和铁电氧化铪锆组成的铁电场效应晶体管(FeFET)的储层计算硬件。丰富的动力学源于铁电…»阅读更多

支持最近提出的一类随机神经网络的神经形态HW结构
通过技术文件链接- 2022年5月25日-意见:0

来自圣母大学和加州大学欧文分校认知科学系的新研究论文《具有随机突触的神经采样机允许类脑学习和推理》。“许多现实世界的关键任务应用需要从噪声数据中持续在线学习，并在确定的置信度下进行实时决策。大脑-…»阅读更多

硬件加密:基于FeFET的超紧凑有源互连
通过技术文件链接- 2022年5月2日-意见:0

新的技术论文“铁电有源互连的硬件功能混淆”，来自宾夕法尼亚州立大学，罗切斯特理工学院，GlobalFoundries Fab1，北达科他州立大学的研究人员。“现有的防止逆向工程的电路伪装技术增加了电路的复杂性，具有显著的面积、能量和延迟惩罚。在这篇论文中，我们……»阅读更多

用于内存计算的非易失性电容交叉阵列
通过技术文件链接- 2022年3月29日-意见:0

摘要传统的电阻交叉阵列在内存计算中存在较大的静态电流/功率、严重的红外下降和潜路径等问题。相比之下，利用瞬态电流和电荷转移的“电容性”交叉阵列正受到关注，因为它1)只消耗动态功率，2)没有直流潜行路径并避免严重的IR下降(因此，无选择器)，3)可以在短时间内保持稳定。»阅读更多

制造比特:10月26日
通过马克LaPedus- 2021年10月26日-评论:0

在即将在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，许多实体将发表有关最新研发技术的论文。该会议将于12月11日至15日举行，涉及先进封装、CMOS图像传感器、互连、晶体管、功率器件和其他技术的论文。在IEDM，英特尔将提出一篇关于GaN的论文…»阅读更多

生产时间:7月21日
通过马克LaPedus- 2020年7月21日-评论

在最近举行的2020年超大规模集成电路技术与电路研讨会上，英特尔发表了一篇关于cmos兼容自旋轨道转矩MRAM (SOT-MRAM)设备的论文。尚在研发阶段的SOT-MRAM是旨在取代SRAM的下一代MRAM。一般来说，处理器集成了CPU、SRAM和各种其他功能。SRAM存储进程快速需要的指令。»阅读更多

下一个新记忆
通过马克LaPedus- 2019年8月15日-评论:2

经过多年的研发，几种下一代存储器类型正在加速发展，但仍有更多的新存储器正在研究中。今天，一些下一代存储器，如MRAM、相变存储器(PCM)和ReRAM，都在不同程度上推出。接下来的一些新存储器就是这些技术的扩展。另一些则是基于全新的技术或涉及人工智能。»阅读更多

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