28 nm-hkmg-based FeFET突触应用程序的设备


技术论文题为“28 nm high-k-metal门铁电场效应晶体管基础突触——一个全面概述”由研究人员发表Fraunhofer-Institut毛皮Photonische Mikrosysteme ipm,印度科技学院的马德拉斯,GlobalFoundries。文摘本文邀请我们提出一个全面的概述28 nm high-k-metal gate-based铁电f……»阅读更多

基于铁电,氧化铪的晶体管数字超出了冯·诺依曼计算机


来源:AIP应用物理快报,2/4/2021出版。伊芙琳·t·Breyer1卤素Mulaosmanovic1托马斯·Mikolajick1 2,和Stefan Slesazeck1 1纳米电子材料实验室(NaMLab) gGmbH 01187德累斯顿,德国2纳电子学的椅子,你德累斯顿01187德累斯顿,德国技术论文链接在这里»阅读更多

系统:5月3日


神经网络突触的发展可能会被用作基础人工神经网络的硬件实现,莫斯科理工学院物理与电子突触(初期)研究人员创建原型基于超薄薄膜的氧化铪(HfO2)。团队测量只是40 x40 nm2 HfO2-based记忆电阻器,它表现出改过的……»阅读更多

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