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标签:铁电存储器

铁电体:负电容的梦想
通过凯瑟琳德比郡12月- 15,2022 -评论:0

铁电体越来越严重的复审,随着芯片制造商寻找新选项保持驱动电流。铁电材料可以提供非易失性内存,提供一个重要的功能的DRAM和闪存之间的差距。事实上,铁电体的内存和2 d通道晶体管是两个突出最近的IEEE会议电子设备。Ferroelectri……»阅读更多

MAC操作28 nm High-k金属门FeFET-based内存数组与ADC(弗劳恩霍夫ipm / GF)
通过技术论文链接——2022年12月1日电——评论:0

技术论文题为“Multiply-Accumulate操作示范与28 nm FeFET横梁数组”被弗劳恩霍夫ipm和GlobalFoundries的研究人员发表。抽象的“这封信报告一个线性multiply-accumulate (MAC)操作进行一个横梁内存数组基于28 nm high-k金属门(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电fi……»阅读更多

SOT-MRAM挑战SRAM
通过布来安梅奥1月- 13,2022 -评论:1

时代新型非易失性存储器(NVM)技术,另一个变化将加入竞争- MRAM的新版本称为在手性力矩,或SOT-MRAM。这个一个特别有趣的是,有一天它可以取代SRAM阵列在systems-on-chip (soc)和其他集成电路。SOT-MRAM技术的关键优势是公关……»阅读更多

电力/性能:1月13日
通过杰西·艾伦1月- 13,2020 -评论:0

铁电存储器莫斯科物理与技术研究所的研究人员和北卡罗莱纳州立大学开发出一种铁电存储单元和一个方法测量电势分布在铁电电容器,创建新的非易失性铁电设备的一个重要方面。团队的新铁电存储单元是由10 nm厚z……»阅读更多

可能为负电容场效应晶体管使用窄
通过凯瑟琳德比郡- 20,2019 -评论:1

发现铁电相的二氧化铪(HfO2)引发了重大利益的机会与传统CMOS集成铁电晶体管和记忆的设备。示威活动的“负电容”行为特别是表明这些设备可能逃避60 mV /十年限制阈下的秋千,从而提高晶体管效率。…»阅读更多

下一代内存加大
通过马克LaPedus8月- 16,2018 -评论:6

下一代内存市场升温供应商坡道的新技术,但也有一些挑战,这些产品将成为主流。多年来,该行业一直致力于各种内存技术,包括碳纳米管RAM,弗拉姆号,MRAM,相变内存和ReRAM。有些是航运,而另一些则在研发。每个内存类型是迪…»阅读更多

新的嵌入式记忆之前
通过马克LaPedus1月25日,2017 -评论:0

嵌入式内存市场开始升温,推动了新一波的微控制器(mcu)和相关的芯片可能会需要新的、更有能力的非易失性内存类型。这个行业正在从几个不同的方面在嵌入式内存景观。在一个方面,传统的解决方案推进。在另一个方面,一些供应商定位next-generatio……»阅读更多

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