28 nm-hkmg-based FeFET突触应用程序的设备


技术论文题为“28 nm high-k-metal门铁电场效应晶体管基础突触——一个全面概述”由研究人员发表Fraunhofer-Institut毛皮Photonische Mikrosysteme ipm,印度科技学院的马德拉斯,GlobalFoundries。文摘本文邀请我们提出一个全面的概述28 nm high-k-metal gate-based铁电f……»阅读更多

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