标签:横梁数组

28 nm-hkmg-based FeFET突触应用程序的设备
通过技术论文链接2023年5月- 09年-评论:0

技术论文题为“28 nm high-k-metal门铁电场效应晶体管基础突触——一个全面概述”由研究人员发表Fraunhofer-Institut毛皮Photonische Mikrosysteme ipm,印度科技学院的马德拉斯,GlobalFoundries。文摘本文邀请我们提出一个全面的概述28 nm high-k-metal gate-based铁电f……»阅读更多

非易失性内存计算电容横梁数组
通过技术论文链接- 3月29日,2022 -评论:0

抽象”传统电阻横梁数组内存计算患有静态电流/功率高,严重的IR降,并偷偷路径。相比之下,“电容”横梁阵列,利用瞬变电流和电荷转移引起了人们的注意,因为它只1)动态功率消耗,2)没有直流通路,避免严重的IR降(因此,selector-free),和3)f……»阅读更多

混合架构基于二维数组忆阻器横梁和CMOS集成电路计算边缘
通过技术论文链接- 1月27日,2022 -评论:0

抽象”集成电路的制造(ICs)使用二维(2 d)材料是半导体行业未来十年的主要目标,因为它可能允许延长摩尔定律,艾滋病在内存中计算,使先进的制造设备超出常规的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。然而,大多数与电路有关的恶魔……»阅读更多

横梁的磁阻的内存设备内存计算
通过技术论文链接1月- 14,2022 -评论:0

三星展示了世界上第一个基于MRAM内存计算技术。三星自然在这个问题上的一篇论文。本文展示了三星的努力合并内存和系统为新一代人工智能(AI)半导体芯片。文摘”实现借的人工神经网络模拟技术可以提供low-po……»阅读更多

神经形态计算节能记忆电容设备
通过技术论文链接11月- 03 2021 -评论:0

抽象的数据密集型计算操作,如训练神经网络,人工智能的应用至关重要,但能源密集。一个解决方案是开发专门的硬件上,神经网络可以直接映射和数组的记忆性设备,例如,被训练来支持并行multiply-accumulate操作。在这里,我们表明,……»阅读更多

电力/性能:12月26日
通过杰西·艾伦——2018年12月26日-评论:0

2 nm记忆电阻器麻省阿默斯特大学的研究人员和布鲁克海文国家实验室建立忆阻器横梁数组2纳米特征尺寸和单层密度每平方英寸4.5位。小组说数组还建有foundry-compatible制造技术。“这项工作将导致高密度记忆电阻阵列与低功耗fo…»阅读更多

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