摘要
“采用二维(2D)材料制造集成电路(ic)是半导体行业未来十年的主要目标，因为它可能允许摩尔定律的扩展，有助于内存计算，并使先进器件的制造超越传统的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。然而，到目前为止，大多数利用2D材料的电路演示都采用了机械剥离等方法，这些方法不能用于晶圆级制造，而且它们的应用只能实现简单的功能，如逻辑门。在这里，我们提出了使用多层六方氮化硼(h-BN)作为电介质的忆阻器交叉阵列的制造，在>96%的设备中表现出模拟双极电阻开关，这是在大多数神经网络、边缘计算和机器学习应用中实现多状态存储元件的理想选择。我们不再仅仅使用这个记忆交叉阵列来解决一个简单的逻辑问题，而是更进一步，将这个h-BN交叉阵列与CMOS电路相结合来实现极限学习机(ELM)算法。采用CMOS电路设计编码器单元，采用基于二维六方氮化硼(h-BN)忆阻器的h-BN交叉阵列实现解码器功能。该混合架构可用于实时数据集上的复杂音频、图像和其他非线性分类任务。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年1月出版。
库马尔，朱K，高x等。基于二维忆阻交叉阵列和CMOS集成电路的边缘计算混合架构。npj 2D Mater Appl 6,8(2022)。https://doi.org/10.1038/s41699-021-00284-3
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