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标签:氧化铪

掺硅氧化铪作为铁电层制备FeFET器件
通过技术文件链接- 2022年12月6日-评论:0

Fraunhofer IPMS, GlobalFoundries和TU Bergakademie Freiberg的研究人员发表了一篇题为“用于内存计算应用的基于hfo2 fefet的界面层工程和READ-Voltage优化的协同方法”的新技术论文。抽象(部分)“这篇文章报道了氧化铪基(HfO2)铁电材料性能的改善。»阅读更多

28nm高k金属栅fefet存储阵列的MAC运算
通过技术文件链接- 2022年12月1日-意见:0

Fraunhofer IPMS和GlobalFoundries的研究人员发表了一篇题为“28 nm FeFET交叉阵列乘法累积操作演示”的技术论文。摘要:本文报告了在基于28nm高k金属栅(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电fi的交叉棒存储器阵列上进行的线性乘积(MAC)操作。»阅读更多

夹在金属衬底和电极之间的氧化铪基薄膜的稳定
通过技术文件链接- 2022年11月17日-评论:0

弗吉尼亚大学、布朗大学、桑迪亚国家实验室和橡树岭国家实验室的研究人员发表了一篇题为“通过夹紧效应在铁电铪氧化锆薄膜中稳定铁电相的起源”的技术论文。资金由美国能源部三维铁电微电子能源前沿研究中心和SRC提供。“这项研究……»阅读更多

用于内存计算的非易失性电容交叉阵列
通过技术文件链接- 2022年3月29日-意见:0

摘要传统的电阻交叉阵列在内存计算中存在较大的静态电流/功率、严重的红外下降和潜路径等问题。相比之下，利用瞬态电流和电荷转移的“电容性”交叉阵列正受到关注，因为它1)只消耗动态功率，2)没有直流潜行路径并避免严重的IR下降(因此，无选择器)，3)可以在短时间内保持稳定。»阅读更多

新的记忆竞争者?
通过马克LaPedus- 2018年1月2日-评论

一种新的铁电存储器正在形成势头，它可能改变下一代存储器的格局。通常，铁电体与一种称为铁电ram (FRAMs)的存储类型有关。fram是上世纪90年代末由几家供应商推出的低功耗、非易失性器件，但它们也仅限于小众应用，无法扩展到130纳米以上。虽然……»阅读更多

电源/性能位:4月19日
通过杰西·艾伦- 2016年4月19日-评论:0

来自莫斯科物理与技术研究所(MIPT)、内布拉斯加州大学和瑞士洛桑大学的科学家们成功地生长出了基于氧化铪的超薄(2.5纳米)铁电薄膜，这种薄膜有可能被用于开发称为铁电隧道结的非易失性存储元件。这部电影…»阅读更多

氧化铪的多种途径
通过凯瑟琳德比郡- 2016年3月31日-意见:0

设备和材料供应商经常谈论集成电路加工的碎片化。虽然制造商的数量减少了，但基础半导体市场的多样性却增加了。用于移动设备的低功耗处理器、用于固态磁盘的非易失性存储器和专用图形处理器都与传统的工业设备有不同的要求。»阅读更多

3D NAND之后是什么?
通过马克LaPedus- 2013年9月19日-评论:0

平面NAND闪存正处于最后的缩放阶段，3D NAND闪存将成为无处不在的2D技术的继承者。三星电子(Samsung Electronics)已经开始推出业内首款3D NAND设备，这是一款24级128g芯片。此外，美光和SK海力士很快将推出各自的3D NAND设备。但东芝和闪迪的组合是最…»阅读更多

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