Fraunhofer IPMS和GlobalFoundries的研究人员发表了一篇题为“28 nm FeFET交叉阵列乘法累积操作演示”的技术论文。
摘要
“这封信报告了在基于28nm高k金属栅(HKMG)互补金属氧化物半导体(CMOS)和铁电场效应晶体管(FeFET)的交叉条存储阵列上进行的线性乘积(MAC)操作。制造是在GlobalFoundries进行的标准28nm技术。交叉阵列显示在300mm晶圆上MAC操作的100%良率。数组被分成8×8段。该FeFET交叉阵列由接入晶体管、限流器晶体管和电流模式模数转换器(ADC)组成。最后，数据保留特征揭示了高达的优秀数据保留特征5×104秒，这使得这个内存阵列适合在推理引擎应用程序中执行MAC操作。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年10月出版。
引用本文:S. De等人，“28纳米FeFET交叉阵列的乘法累积运算演示”，发表在《IEEE电子器件快报》，第43卷，no. 3。12, pp. 2081-2084, 2022年12月，doi: 10.1109/LED.2022.3216558。
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