文摘:
“铁电场效应晶体管采用铁电材料作为栅极绝缘层,偏振状态的可以使用的通道电导检测设备。结果,使用的设备是潜在的非易失性内存技术,但是他们遭受保留时间短,这限制了其广泛应用。在这里,我们报告一个铁电半导体场效应晶体管的二维铁电半导体,铟硒化(α-In2Se3),用作通道材料设备。α-In2Se3选择由于其合适的能带,室温铁电性,保持铁电性的能力几个原子层及其大面积增长潜力。钝化方法基于的原子层沉积氧化铝(氧化铝)开发保护和提高晶体管的性能。与15-nm-thick氧化铪(HfO2)作为闸极介电层,由此产生的设备提供高性能和大内存窗口,开/关高的比例超过108,最高862年对当前μAμm−1和低电源电压。”
找到这里的技术论文。另外,普渡大学的新闻那样(12/9/19)发现她e。
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