标签:带隙

高电压、大电流电器开关放电合成氧化锌纳米棒:一种新方法对快速和高度可调合成氧化物半导体的光电应用程序开放的空气和水
通过技术论文链接- 09年11月,2021 -评论:0

文摘:“氧化物半导体纳米粒子合成的新方法提出了基于高压、大电流电气开关放电(HVHC-ESD)。通过一次秒级放电HVHC-ESD方法,我们成功地合成氧化锌纳米棒(氧化锌)。晶体学和光学和电子分析批准高水晶质地和优秀的光电水资源……»阅读更多

铁电半导体场效应晶体管
通过技术论文链接- 12月31日,2019 -评论:0

文摘:“铁电场效应晶体管采用铁电材料作为栅极绝缘层,偏振状态的可以使用的通道电导检测设备。结果,使用的设备是潜在的非易失性内存技术,但是他们遭受保留时间短,这限制了其广泛应用。在这里,我们报告一个铁电sem……»阅读更多

电力/性能:6月18日
通过杰西·艾伦- 18,2019 -评论:0

多值逻辑晶体管位于达拉斯的得克萨斯大学研究人员,汉阳大学,光州科学技术研究所、延世大学,国民大学,韩国蔚山国家科学技术研究所的开发和制造晶体管能够存储中间值在0和1之间。这样一个多值逻辑晶体管将允许更多的操作…»阅读更多

材料不断增长的挑战
通过凯瑟琳德比郡- 11年6月,2018 -评论:0

凯瑟琳德比郡&埃德·斯珀林材料已成为一个越来越大的挑战整个半导体供应链,芯片规模继续,或他们在新设备如传感器利用人工智能和机器学习系统。先进工程材料不再是可选的节点。他们现在要求,新材料的数量在芯片contin内容…»阅读更多

TFETs削减的亚阈值摆
通过凯瑟琳德比郡3月- 16,2017 -评论:0

的一个主要障碍继续晶体管扩展是功耗。门的长度减少,亚阈值摆(SS)所需的栅电压变化的漏极电流-增加一个数量级。张秦、魏赵,圣母大学的Alan Seabaugh解释2006年,学生面临着理论在室温下至少60 mV /十年在传统莫…»阅读更多

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