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标签:原子层沉积

石墨烯设备:通过添加振动抑制振动(车队)
通过技术论文链接12月- 15,2022 -评论:0

技术篇题为“钝化石墨烯和抑制界面声子散射传输机械大面积Ga2O3”由弧卓越中心的研究人员发表在未来低能电子技术(车队)、莫纳什大学和墨尔本大学。根据舰队的新闻文章,研究发现:超薄,liquid-metal-printed氧化物……»阅读更多

使用流程建模期间加强设备一致性自对准四模式
通过蒂莫西·杨——11月18日,2021 -评论:0

尽管越来越感兴趣EUV光刻,自对准四模式(SAQP)仍然是许多技术优势模式一致性、简单性和成本。尤其如此,非常简单和周期模式,如线&空间模式或孔阵列。SAQP的最大的挑战是本质上不对称的面具的形状。这种不对称可以创建结构……»阅读更多

智能代理的优化原子层沉积
通过技术论文链接- 05年8月,2021 -评论:0

“原子层沉积(ALD)是一个高度可控的薄膜合成方法与应用程序计算,能量,和分离。ALD的灵活性意味着它可以访问大量化学目录;然而,这种化学物质和过程的多样性导致重大挑战在确定工艺参数,导致稳定和均匀的电影发展的以最少的公关……»阅读更多

稀释剂与二维半导体通道
通过凯瑟琳德比郡- 6月21日,2021 -评论:0

搬到未来的节点需要的不仅仅是较小的特点。3/2nm之外,新材料可能被添加,但哪些,什么时候将取决于爆炸材料的科学研究进行的大学和公司在全球范围内。场效应晶体管、门创建一个电场的电压通道,弯曲的禁令……»阅读更多

ALD涂料为关键室组件
通过瑟瑞娜Brischetto- 3月18日,2021 -评论:0

每个过渡到一个新的技术节点,金属和粒子污染工厂要求变得更加严格,构成挑战现有的涂层阳极处理或等离子喷涂等方法可能不提供完整的保护污染尤其是关键室组件与复杂的几何形状。半Beneq商业执行官萨米乱石谈到……»阅读更多

新颖的蚀刻技术利用原子层过程先进的模式
通过电话12月17日,2020 -评论:0

我们演示了高选择性和各向异性等离子体腐蚀氮化硅和碳化硅。证明过程由一系列离子改性和化学除干燥步骤。的氮化硅腐蚀与H离子改性二氧化硅和SiC电影显示出高选择性。此外,我们已经开发出的选择性腐蚀与N离子改性碳化硅。另一方面,在模式的腐蚀过程中,…»阅读更多

先进材料高温过程的集成
通过詹姆斯羊肉- 7月16日,2020 -评论:0

从过去几个光刻节点,在14 - 10 nm范围内,最新的节点,在7 - 5 nm范围、模式和图像传输材料的需求急剧增加。的一个关键压力点是整平之间的权衡和所需的高温稳定性碳电影中使用模式和post-patterning流程集成。喋喋不休地说……»阅读更多

制造业:2月18日
通过马克LaPedus- 2月18日,2020 -评论:0

分子层腐蚀美国能源部的阿贡国家实验室领域的新进展分子层腐蚀或腐蚀(标定)。大中型企业相关原子层腐蚀(ALE)。用于半导体行业,啤酒有选择地删除目标材料在原子尺度在不损害其他部分的结构。啤酒与原子层淀积…»阅读更多

铁电半导体场效应晶体管
通过技术论文链接- 12月31日,2019 -评论:0

文摘:“铁电场效应晶体管采用铁电材料作为栅极绝缘层,偏振状态的可以使用的通道电导检测设备。结果,使用的设备是潜在的非易失性内存技术,但是他们遭受保留时间短,这限制了其广泛应用。在这里,我们报告一个铁电sem……»阅读更多

ALD钨解决3 d NAND闪存设备制造能力的挑战
通过林的研究——4月18日,2019 -评论:0

我们越来越连接和“聪明”世界产生的数据越来越多,施压制造商面临着新技术的挑战在交付所需的容量增加处理和存储。ALD钨过程帮助3 d NAND闪存制造商克服生产内存芯片的技术挑战与更高的存储容量。3 d NAND……»阅读更多

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