一种结合原子层沉积和有机薄膜蚀刻工艺的新方法可能解决先进节点中各种工艺的关键挑战。
我们展示了高选择性和各向异性的Si3N4和SiC等离子体蚀刻。所演示的过程包括一系列的离子改性和化学干燥去除步骤。H离子修饰的Si3N4腐蚀对SiO2和SiC薄膜具有较高的选择性。此外，我们还开发了氮离子改性SiC的选择性蚀刻技术。另一方面，在图案蚀刻工艺中，多层薄膜的制备要求在复杂孔图案中达到原子尺度XY CD可控性的精度。为了解决这一需求，我们开发了先进的准原子层蚀刻(ALE)技术，实现了椭圆图案的X-Y CD控制，以及更宽的X-Y CD控制裕度。此外，在存储器制造过程中，要求在高纵横比(A/R)特征下垂直蚀刻有机薄膜掩模图案。因此，我们开发了一种将原子层沉积(ALD)技术与有机薄膜蚀刻工艺相结合的新方法。用这种方法，我们能够实现垂直掩模轮廓。因此，我们将展示这些新的工艺技术在解决先进节点中各种工艺中的关键挑战方面具有巨大潜力。
作者:Masanobu Honda, Takayuki Katsunuma, Sho Kumakura, Toru Hisamatsu, Yoshihide Kihara -均来自东京电子宫城有限公司(日本)
Masanobu Honda, Takayuki Katsunuma, Sho Kumakura, Toru Hisamatsu, Yoshihide Kihara，“利用原子层工艺进行高级图案的新型蚀刻技术”，Proc. SPIE 11329，纳米图案的高级蚀刻技术IX, 1132905(2020年3月23日);https://doi.org/10.1117/12.2555805
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