中文 英语

后方电力输送的挑战


实现3nm以下工艺的关键技术之一是在芯片背面传输功率。这种新方法增强了信号完整性,减少了路由拥塞,但它也带来了一些新的挑战,目前还没有简单的解决方案。后台电力输送(BPD)消除了需要在信号和电力线之间共享互连资源的t…»阅读更多

周回顾:半导体制造,测试


据日经亚洲报道,美国正在敦促包括日本在内的盟友限制向中国出口先进半导体和相关技术。美国占全球半导体市场的12%,日本占15%,台湾和韩国各占20%左右。一些美国公司呼吁其他国家采取美国式的出口限制,认为这只对美国不公平。»阅读更多

人工智能提供视觉处理器,图像传感器Boom


在图像传感器和新型传感器的巨大改进的推动下,视觉系统正在迅速普及。虽然传感器本身通常使用成熟节点硅开发,但它越来越多地连接到在最先进的工艺节点上开发的视觉处理器。这可以实现每瓦最高的性能,而且还可以在设计中加入AI加速……»阅读更多

周回顾:半导体制造,测试


美国新出口管制的影响仍在继续。根据新规定,希望向中国芯片制造商提供先进制造设备(小于14纳米)的公司必须首先获得美国商务部的许可。此外,美国人(公民和永久居民)禁止在没有许可证的情况下支持中国先进芯片的开发或生产. ...»阅读更多

晶圆清洗成为制造3D结构的关键挑战


晶圆清洗,曾经是一个非常简单的任务,就像将晶圆浸入清洗液中一样简单,现在正成为制造GAA fet和3d - ic的最大工程挑战之一。随着这些新的3D结构——有些即将出现,但有些已经在大批量生产中——半导体晶圆设备和湿式清洗业务的材料供应商处于震中……»阅读更多

新一代晶体管有什么不同


经过近十年的发展和五个主要节点,以及大量的半节点,半导体制造业将开始从finfet过渡到3nm技术节点的全能堆叠纳米片晶体管架构。相对于finfet,纳米片晶体管通过在相同的电路占地面积内增加通道宽度来提供更大的驱动电流。gate-all-aroun……»阅读更多

用于DRAM应用的金属氧化物抗蚀剂(MOR) EUV光刻工艺


针对DRAM应用,本文报道了利用金属氧化物抗蚀剂(MOR)制备EUV抗蚀剂的关键工艺技术。对于MOR,减少金属污染和CD均匀性(CDU)是曝光后烘烤(PEB)的关键性能要求。基于多年的经验与旋转型Inpria MOR,我们设计了一种新的PEB烤箱,以实现污染…»阅读更多

一周回顾:制造,测试


拜登总统9月15日签署了一项行政命令,限制被视为对美国国家安全构成威胁的“竞争对手或敌对国家”对美国技术的外国投资。在过去,美国外国投资委员会(CFIUS)的行动主要局限于出售美国公司。新指令将范围扩大到涉及“美国投资”的投资。»阅读更多

智能制造与先进技术服务


SEMI采访了东京电子有限公司服务战略和卓越高级副总裁Eyal Shekel,讨论了人工智能(AI)对智能制造的影响,以及其他更智能工艺工具的晶片厂解决方案如何推动半导体制造。SEMI:人工智能技术被认为是智能制造的关键推动者。最新的趋势是什么?平:…»阅读更多

一周回顾:制造,测试


美国《芯片法案》的部分资金细节现已公布。拜登政府计划以以下方式使用这笔资金:通过拨款、补贴贷款或贷款担保等方式,投入280亿美元,建立国内领先的逻辑和存储芯片生产;100亿美元用于增加当前一代半导体和芯片的生产,110亿美元用于其他用途。»阅读更多

←老帖子
Baidu